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4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

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產(chǎn)品簡介:4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)強化意識,環(huán)境溫度在100-300℃長期間,但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化現場,從而大大提高了反應(yīng)物的活性高端化,這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上,發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜我有所應,因此這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)提單產。

 

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

 

產(chǎn)品型號

4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)

安裝條件

 本設(shè)備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃至關重要,濕度55%Rh±10%Rh下使用發展空間。

1、水:不需要

2有所應、電:AC220V 50Hz足了準備,必須有良好接地

3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體認為,需自備氣瓶氣源

4系統、工作臺:尺寸1600mm×600mm×700mm,承重150kg以上

5重要意義、通風(fēng)裝置:需要

主要特點(diǎn)

1交流等、內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,同時(shí)也可以延長儀器的使用壽命規劃。

2提高、輝光放電等離子體中電子密度可達(dá)109cm3-1012cm3

3進入當下、電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍紮實。

4、配有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計(jì)新體系,可準(zhǔn)確地控制氣體流量等地。

5、一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥尤為突出。

6規定、不銹鋼針閥安裝在左側(cè)部分,可手動控制混合氣體的輸入空間載體。

7高質量、已通過CE認(rèn)證。

技術(shù)參數(shù)

管式爐

1重要組成部分、電源:AC220V  4KW

2流程、爐管:Ø50mmØ60mm勃勃生機,Ø80mm都可用

3助力各業、溫度控制器:30段高精度數(shù)字可編程溫度控制器

4、加熱區(qū):440mm

5廣度和深度、恒溫區(qū):150mm

等離子射頻電源

1深入交流、輸入功率:AC220V  1KW

2輸出功率:50W-500W可調(diào)加強宣傳,±1%

3臺上與臺下、RF頻率:13.56MHz

4、噪聲:≤55DB

5技術發展、冷卻:風(fēng)冷

真空泵和質(zhì)量流量計(jì)

1集聚效應、真空度:10-3torr

2、波紋管:KF25系列

3重要手段、質(zhì)量流量計(jì):0-200互動講,誤差0.02%,進(jìn)氣口采用標(biāo)準(zhǔn)雙卡頭

產(chǎn)品規(guī)格

尺寸:管式爐550mm×380mm×520mm像一棵樹,供氣及真空系統(tǒng)600mm×600mm×1250mm

重量:120kg

可選配件

防腐型數(shù)字式真空顯示計(jì)


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