型號: XH-LAB-RC
硅晶電池片表面制絨效果對電池片效率提高扮演著非常重要的角色。電池片的制絨減少了因為反射而丟失的光，并且對電池片的鈍化效果也有很大的影響發揮作用。另外就制絨工藝本身來講良好，硅片材料和硅片切割效果對其也有影響。因此發揮，很有必要獲得制絨效果的詳細信息顯著，從制絨后整理體反射率光譜的精確測量可以獲得這些重要的信息。

XH-LAB-RC是一款很好的化學(xué)制絨工藝測量開放以來，分析和工藝優(yōu)化的工具今年，同時也可以測量鍍膜后硅片的膜厚和顏色〗Y構不合理？蛇M行雙面x動手能力，y全自動測量；保證測量的精準度意見征詢。

系統(tǒng)使用簡單提升，無需操作人員具有專業(yè)的技能。因為系統(tǒng)有手動的單軸移動平臺的必然要求，所以能快速進行線性掃描研究成果。用戶可以在移動的硅片上進行連續(xù)性測量，也可以測量硅片上的固定點完善好。系統(tǒng)可自動生成測試報告并存儲數(shù)據(jù)大面積。

測量原理

系統(tǒng)利用一個寬頻譜的鹵素?zé)糇鳛楣庠矗瓷涔獗惶貏e設(shè)計的積分球收集并探測問題分析，積分球通過光纖與一個高精度光譜儀連接培養。不管樣品表面是絨面還是拋光面，所有的反射光和散射光都會被收集測量更加完善，整體光譜反射率的值及變動情況可以用來管控硅片的制絨工藝形式，同時可以測量出鍍膜硅片的總的反射損失。通過標準邏輯運算支撐作用，可計算出在不同顏色空間的顏色值日漸深入，如Lab，xyY顏色空間等同時。

薄膜的上表面和下表面反色光由于相位不同而發(fā)生干涉互動式宣講，干涉光譜的頻率與膜厚是成正比的。這種現(xiàn)象用來計算硅片的膜厚模式。的計算方法是通過擬合測量光譜和薄膜理論光譜自動化，使其吻合，計算出薄膜的實際厚度通過活化。

系統(tǒng)特點

■ 全波段整體反射率測量
■ 任意波段zui小反射率及對應(yīng)波長測量
■ 自定義單一波長反射率測量
■ 任意波段平均反射率測量
■ 鍍膜膜層厚度測量
■ 色度計算
■ 集成參考校正片
■ 用戶自定門限設(shè)置
■ Goog/Bad指示
■ 手動單軸測試臺
■ 手動全硅片Mapping
■ 測量速度快, <0.8s /點
■ 可以提供第三方認證標片（選項）
■ 裸片和鍍膜片的測量:
     -離線
     -非接觸式
     -靜態(tài)單點測量
■ 測量參數(shù):
     -反射率: r（全光譜）
     -色度: c（Lab, xyY , ...）
     -膜厚 r（鍍膜片）
■ 應(yīng)用范圍:
     -多晶（拋光發展成就、粗糙成就、絨化）
     -單晶（拋光、粗糙開展面對面、絨化）
     -125mm×125mm / 156mm×156mm
■ 應(yīng)用在所有向光制絨工藝
     -化學(xué)蝕刻（酸/堿）
     -RIE（離子反應(yīng)蝕刻）
■ 操作簡單
     -只需點擊測量按鈕系統，即出測量結(jié)果
     -手動單軸移動測試臺，可全硅片Mapping
     -線性掃描簡單

技術(shù)參數(shù)

■ 測量參數(shù): 反射率/膜厚/色度
■ 反射率范圍: 0-*
■ 波長范圍: 380-1070nm
■ siN膜厚: 25-120nm
■ siO膜厚: 35-169nm
■ 反射率精度: ±0.1%
■ 反射率重復(fù)性: <0.05%
■ 膜厚精度:±1nm
■ 膜厚重復(fù)性: ±0.2nm
■ 色度表達: Lab/xyY/XYZ/Lch
■ 色度精度: x,y 3 σ±0.004/Y3σ±0.5
■ 色度重復(fù)性:x,y 3 σ<0.002/Y3σ<0.2
■ 測量光斑: ~8mm
■ 測量速度: 0.8s/點
■ 硅片尺寸: 156mm×156mm/ 125mm×125mm/ 圓形或更小
■ 樣品臺: 310*160mm
■ 環(huán)境溫度: 15-35℃
■ 濕度: <90%
■ 電源: AC100-240;50/60Hz
■ PC要求: WindoP, 2GB RAM, >100GB HDD