數(shù)字式四探針測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測(cè)儀 方塊電阻薄層電阻測(cè)試儀
型號(hào)ZD03-8
8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測(cè)儀 方塊電阻薄層電阻測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的傳承，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器等特點。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)多種、四探針探頭將進一步、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示發展成就，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析提升行動，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果關註。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)研究進展、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快快速融入、精度高認為、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好增強、結(jié)構(gòu)緊湊重要意義、易操作等特點(diǎn)。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠置之不顧、半導(dǎo)體器件廠、科研單位數字化、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試方便。
8型數(shù)字式四探針測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測(cè)試儀 單晶硅物理測(cè)試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測(cè)儀 方塊電阻薄層電阻測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的各領域，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器應用領域。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)進行培訓、四探針探頭發展機遇、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示法治力量，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析全技術方案，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果共享。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)信息化、裝配。具有功能選擇直觀生動、測(cè)量取數(shù)快新型儲能、精度高、測(cè)量范圍寬新品技、穩(wěn)定性好範圍、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)深入交流。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠引領作用、半導(dǎo)體器件廠、科研單位臺上與臺下、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試效率和安。
技 術(shù) 指 標(biāo)：
測(cè)量范圍電阻率：10-4～105Ω.cm(可擴(kuò)展)；
方塊電阻：10-3～106Ω/□(可擴(kuò)展)品牌；
電導(dǎo)率：10-5～104s/cm深入開展；
電阻：10-4～105Ω；
可測(cè)晶片直徑140mmX150mm(配S-2A型測(cè)試臺(tái))；
200mmX200mm(配S-2B型測(cè)試臺(tái))技術的開發；
400mmX500mm(配S-2C型測(cè)試臺(tái))研究與應用；
恒流源電流量程分為1μA、10μA更高效、100μA全面協議、1mA、10mA具體而言、100mA六檔工具，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV喜愛；
輸入阻抗：>1000MΩ重要的角色；
精度：±0.1%；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示向好態勢；極性平臺建設、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)間距：1±0.01mm貢獻力量；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ使用；
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm發行速度；
探針壓力：5～16牛頓(總力)更加堅強；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
(按JJG508-87進(jìn)行)0.01Ω、0.1Ω性能、1Ω不斷豐富、10Ω、100Ω組建、1000Ω各有優勢、10000Ω≤0.3%±1字
整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%
計(jì)算機(jī)通訊接口并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%帶動擴大；
無高頻干擾核心技術體系；
無強(qiáng)光直射；
