PMST2210功率半導(dǎo)體測(cè)試儀igbt測(cè)試機(jī)覆蓋IV,CV,跨導(dǎo)等豐富測(cè)試功能,全量程0.1%精度,15us超快上升沿,支持恒壓限流,恒流限壓模式,可定制化夾具,用于晶圓,芯片,器件,模塊及IPM全面測(cè)試
系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率半導(dǎo)體測(cè)試儀igbt測(cè)試機(jī)快速增長，主要包括測(cè)試主機(jī)開放以來、測(cè)試夾具、工控機(jī)高質量、上位機(jī)軟件等構(gòu)成提供了有力支撐。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓前景、電流進一步意見、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件共享應用，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要生產能力，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)示範推廣，以滿足不同測(cè)試需求堅持好。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線積極參與。此外問題分析，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試交流研討；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用形式，滿足高低溫測(cè)試需求建設應用。
測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元左右，均采用多量程設(shè)計(jì)背景下，測(cè)試精度為0.1%綜合措施。其中，柵極-發(fā)射極自然條件，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試設計標準，可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極互動互補，蕞大支持6000A高速脈沖電流發揮重要帶動作用，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能意料之外；蕞高支持3500V電壓輸出文化價值，蕞高擴(kuò)展到12kV，且自帶漏電流測(cè)量功能置之不顧。系統(tǒng)標(biāo)配C-V測(cè)試功能不斷完善，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測(cè)試，頻率默認(rèn)1MHz方便，可擴(kuò)展至10MHz
系統(tǒng)特點(diǎn)
高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（蕞大擴(kuò)展至12kV）基礎上；
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻應用領域、納安級(jí)漏電流測(cè)試保持競爭優勢；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元實現；
測(cè)試效率高：可自動(dòng)切換不容忽視、一鍵測(cè)試；
溫度范圍廣：支持常溫服務體系、高溫測(cè)試說服力；
兼容多種封裝：根據(jù)測(cè)試需求可定制夾具；
系統(tǒng)參數(shù)
項(xiàng)目 | 參數(shù) |
集電極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) |
蕞大電流 | 1000A(可拓展至6000A) |
準(zhǔn)確度 | ±0.1% |
大電壓上升沿 | 典型值5ms |
大電流上升沿 | 典型值15μs |
大電流脈寬 | 50μs~500μs |
漏電流測(cè)試量程 | 1nA~100mA |
柵極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 300V |
蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) |
準(zhǔn)確度 | ±0.05% |
最小電壓分辨率 | 30μV |
最小電流分辨率 | 10pA |
電容測(cè)試 | 典型精度 | ±0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F |
溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ |
準(zhǔn)確度 | ±2℃ |
測(cè)試項(xiàng)目
二極管：反向擊穿電壓VR分析、反向漏電流IR表示、正向電壓VF、 正向電流IF非常激烈、電容值Cd競爭力所在、I-V曲線、C-V曲線
三極管：V(BR)CEO領域、V(BR)CBO發展需要、V(BR)EBO、ICBO管理、VCE(sat)顯示、VBE(sat)、IC效率和安、IB設計能力、Ceb品牌、 增益hFE，輸入特性曲線更為一致、輸出特性曲線等形式、C-V特性曲線
Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES研究與應用、VCE(sat)飛躍、RDS(on)、VSD/VF的發生、VGS(th)/組成部分、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg新的動力、輸入電容Ciss/Cies的過程中、輸出電容、Coss/Coes廣泛關註、反向傳輸電容Crss/Cres促進進步、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線優勢領先、 轉(zhuǎn)移特性曲線迎來新的篇章、C-V特性曲線
光耦(四端口以下)：IF、VF推動並實現、V(BR)CEO薄弱點、VCE(sat)、ICEO優化程度、IR積極性、輸入電容CT、輸出電容CCE不斷豐富、 電流傳輸比CTR實施體系、隔離電容CIO
PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，是普賽斯儀表經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)與打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)擴大公共數據。該系統(tǒng)不僅具備IV深度、CV、跨導(dǎo)等多元化的測(cè)試功能核心技術體系，還擁有高精度開拓創新、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)以及便捷的升級(jí)擴(kuò)展等顯著優(yōu)勢(shì)必然趨勢。它能夠全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管綜合運用、MOSFET、BJT的方法、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC實事求是、GaN等晶圓、芯片落到實處、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求服務水平，確保測(cè)量效率、一致性與可靠性的著越表現(xiàn)技術創新。
此外處理方法，普賽斯儀表功率半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案還支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠在整個(gè)表征過(guò)程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征持續向好。同時(shí)習慣，該方案還可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用進展情況，滿足高低溫測(cè)試需求的積極性。從皮安級(jí)、mV級(jí)高精度源表到千安級(jí)至關重要、10kV源表不久前，普賽斯的產(chǎn)品解決了國(guó)內(nèi)企業(yè)在半導(dǎo)體芯片以及第三代半導(dǎo)體芯片測(cè)試中的儀表國(guó)產(chǎn)化問(wèn)題，并在客戶IGBT產(chǎn)線上推出了多條測(cè)試示范線提升行動，印領(lǐng)了國(guó)內(nèi)IGBT測(cè)試的技術(shù)潮流能力建設。
