普賽斯半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試系統(tǒng)主要由源表共同努力、LCR 表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成追求卓越。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz逐漸完善，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上覆蓋。

半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試系統(tǒng)概述

電容-電壓(C-V)測(cè)量廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù)異常狀況，尤其是MOS CAP和MOSFET結(jié)構(gòu)研究。MOS(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)的電容是外加電壓的函數(shù)高效，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡(jiǎn)稱C-V特性），C-V曲線測(cè)試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox提高、襯底摻雜濃度N機構、氧化層中可動(dòng)電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數(shù)交流。

系統(tǒng)方案

普賽斯半導(dǎo)體功率器件C-V測(cè)試系統(tǒng)主要由源表基礎、LCR 表、矩陣開關(guān)和上位機(jī)軟件組成還不大。LCR表支持的測(cè)量頻率范圍在0.1Hz~1MHz高產，源表(SMU)負(fù)責(zé)提供可調(diào)直流電壓偏置，通過矩陣開關(guān)加載在待測(cè)件上發揮作用，更多詳情上普賽斯官&網(wǎng)咨詢良好；

進(jìn)行C-V 測(cè)量時(shí)，通常在電容兩端施加直流偏壓銘記囑托，同時(shí)利用一個(gè)交流信號(hào)進(jìn)行測(cè)量引領。一般使用的交流信號(hào)頻率在10KHz 到1MHz   之間。所加載的直流偏壓用作直流電壓掃描，掃描過程中測(cè)試待測(cè)器件待測(cè)器件的交流電壓和電流應用前景，從而計(jì)算出不同電壓下的電容值有很大提升空間。

系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)

• 頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續(xù)頻率點(diǎn)可調(diào)；

• 高精度首次、大動(dòng)態(tài)范圍：提供0V~3500V偏壓范圍可能性更大，精度0.1%；

• 內(nèi)置CV測(cè)試：內(nèi)置自動(dòng)化CV測(cè)試軟件搖籃，包含C-V（電容- 電壓）關鍵技術，C-T（電容- 時(shí)間），C-F（電容 - 頻率）等多項(xiàng)測(cè)試測(cè)試功能;

• 兼容IV測(cè)試：同時(shí)支持擊穿特性以及漏電流特性測(cè)試研究成果；

• 實(shí)時(shí)曲線繪制：軟件界面直觀展示項(xiàng)目測(cè)試數(shù)據(jù)及曲線取得了一定進展，便于監(jiān)控；

• 擴(kuò)展性強(qiáng)：系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)大面積，可根據(jù)需求靈活搭配積極參與；

  基本參數(shù)

半導(dǎo)體參數(shù)CV測(cè)試系統(tǒng)典型配置