武漢普賽斯數(shù)字源表具有測(cè)試精度高生產效率，微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn)，可夠根據(jù)用戶(hù)測(cè)試需求配置高效效果，高性?xún)r(jià)比的納米材料測(cè)試方案使用，可廣泛應(yīng)用在納米材料，傳感器密度增加，半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品的研發(fā)有效性，生產(chǎn)領(lǐng)域；納米水伏發(fā)電材料電性能表征數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢(xún)

傳統(tǒng)的二線(xiàn)制電阻測(cè)量方式容易引入附加誤差機遇與挑戰，降低MEMS芯片控溫的精準(zhǔn)度廣泛關註。材料測(cè)試所能承受的電流超小，低至nA甚至pA集成技術，測(cè)試設(shè)備需要具備小電流的測(cè)量能力就能壓製。武漢普賽斯數(shù)字源表具有測(cè)試精度高，微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn)適應能力，可夠根據(jù)用戶(hù)測(cè)試需求配置高效更優美，高性?xún)r(jià)比的納米材料測(cè)試方案，可廣泛應(yīng)用在納米材料防控，傳感器合作關系，半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品的研發(fā)，生產(chǎn)領(lǐng)域深刻內涵；納米水伏發(fā)電材料電性能表征數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢(xún)

通過(guò)MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)控及反饋測(cè)量系統(tǒng)傳遞，并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場(chǎng)條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化深入闡釋、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息規模最大。  

測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)：

傳統(tǒng)的二線(xiàn)制電阻測(cè)量方式容易引入附加誤差，降低MEMS芯片控溫的精準(zhǔn)度統籌。材料測(cè)試所能承受的電流超小最深厚的底氣，低至nA甚至pA，測(cè)試設(shè)備需要具備小電流的測(cè)量能力。

普賽斯S/P系列源表為原位表征提供精準(zhǔn)熱場(chǎng)控制及電性能測(cè)量:
標(biāo)配四線(xiàn)制測(cè)量端口;
提供多個(gè)電流量程品質，量程越低利用好，精度越高;
蕞低1pA電流分辨率，源測(cè)精度高達(dá)0.03%解決問題。

武漢普賽斯一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表開(kāi)發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),帥先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表系列、脈沖式源表、大電流脈沖電源相互配合、集成插卡式源表慢體驗、功率器件測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體器件材料的分析測(cè)試領(lǐng)域。欲了解更多納米水伏發(fā)電材料電性能表征數(shù)字源表信息智能化，歡迎隨時(shí)咨詢(xún)普賽斯儀表科技實力！