PBTS的外形圖：
適用范圍：
? 大規(guī)模數(shù)字集成電路：MCU參與能力、DSP合理需求、FPGA、CPU、邏輯器件高質量、接口器件和驅(qū)動(dòng)器件等
? 存儲(chǔ)器集成電路：SRAM充分發揮、DRAM、SDRAM管理、DDR2設計、EEPROM，Nａnd Flash（PARALLEL, SERIAL）改進措施，Nor Flash （PARALLEL SERIAL）等
? 特殊器件：ASIC就此掀開、SOC、Medical今年、Sensor和客戶定制等器件穩步前行。
? HD和HD/H型老化板的參數(shù)測(cè)試
產(chǎn)品特點(diǎn)：
? 一個(gè)老化板的插槽能力；
? 手動(dòng)老化板拔插結(jié)構(gòu)（可選擇自動(dòng)老化板拔插機(jī)構(gòu)）動手能力；
? 由PMU實(shí)現(xiàn)參數(shù)測(cè)試逐步改善；
? 基于一個(gè)PTDM模塊，具備矢量圖形和算法圖形產(chǎn)生和測(cè)試驅(qū)動(dòng)能力重要的意義；
? 50MHz的系統(tǒng)主時(shí)鐘持續，可以實(shí)現(xiàn)高頻率的功能測(cè)試；最小可編程脈沖寬度10ns再獲；
? 可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字集成電路高質量、存儲(chǔ)器電路和混合集成電路的功能測(cè)試能力；
? 最多可以配置多達(dá)6個(gè)程控電源（選件）激發創作；可以提供高達(dá)104A的電流前景，老化電源可以并聯(lián)使用；
? 還配置了4路可編程參考電源（Vref）增幅最大；
? 1G超大矢量存儲(chǔ)器共享應用；
? PTDM模塊均有時(shí)鐘發(fā)生器、地址發(fā)生器（包括1個(gè)16位加減Refresh地址計(jì)數(shù)器）標準、數(shù)據(jù)發(fā)生器示範推廣、掃描發(fā)生器、圖形發(fā)生器和信號(hào)格式化器等信號(hào)發(fā)生能力即將展開，滿足各種器件的功能測(cè)試要求大幅增加；
? 算法圖形發(fā)生器實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器激勵(lì)信號(hào)的產(chǎn)生和輸出信號(hào)監(jiān)測(cè)
? I/O通道均具備三態(tài)編程控制及信號(hào)格式化（NRZ, DNRZ, RTZ, RTO, SBC,FORCE）能力，最多可以多達(dá)16組傳承；
? 具備拓?fù)浼岸嗦忿D(zhuǎn)換功能等特點。
標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格或主要參數(shù)：
? 適合于EDA的HD型和HD/H型老化板；
? PMU的主要性能：
? PTDM模塊的主要參數(shù)：
→ 1G矢量存儲(chǔ)器和失效存儲(chǔ)器多種；
→ 主時(shí)鐘：50MHz將進一步，定時(shí)分辨率：10ns充分發揮；
→ 最多可提供256 I/O通道，48個(gè)激勵(lì)信號(hào)通道和32個(gè)特殊監(jiān)測(cè)通道成就；
→ 多達(dá)4組不同的Vih和Vil數(shù)字信號(hào)電平編程設(shè)置能力重要方式，保證混合工藝器件的功能測(cè)試能力；
→ Vih編程范圍：0-8V系統、Vil編程范圍（）：0V～2V非常重要；測(cè)試閾值電平Vth編程范圍：0V～8V；
→ 48路激勵(lì)通道具備超高信號(hào)高電平Vihh的編程能力空間廣闊，編程范圍：0V～15V高品質；
→ On-the -fly時(shí)鐘邊沿設(shè)置數(shù)量：32個(gè)；
→ I/O通道具備NRZ, DNRZ, RTZ, RTO等格式化編程能力意料之外；
→ 通道矢量深度：32M
→ 每個(gè)信號(hào)通道的連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流能力：200mA，峰值驅(qū)動(dòng)電流：3A形式；
→ 4路可編程參考電壓置之不顧，另外最多可選配6組程控老化電源，可提供108A老化電流數字化；
→ 可選配模擬模塊方便，每個(gè)模塊的模擬通道：4路，具備各種標(biāo)準(zhǔn)模擬信號(hào)的產(chǎn)生能力各領域；
