適用范圍：
? 大規(guī)模數(shù)字集成電路：MCU集成應用、DSP探討、FPGA、CPU高效流通、邏輯器件調解製度、接口器件和驅(qū)動(dòng)器件等
? 存儲器集成電路：SRAM、DRAM統籌發展、SDRAM深化涉外、DDR2、EEPROM生產製造，Nａnd Flash（PARALLEL, SERIAL）開展試點，Nor Flash （PARALLEL SERIAL）等
? 特殊器件：ASIC攜手共進、SOC、Medical推進一步、Sensor和客戶定制等器件經過。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
? 一個(gè)老化板的插槽能力；
? 手動(dòng)老化板拔插結(jié)構(gòu)（可選擇自動(dòng)老化板拔插機(jī)構(gòu)）力度；
? 基于一個(gè)PTDM模塊明確了方向，具備矢量圖形和算法圖形產(chǎn)生和測試驅(qū)動(dòng)能力；
? 50MHz的系統(tǒng)主時(shí)鐘善謀新篇，可以實(shí)現(xiàn)高頻率的功能測試增產；最小可編程脈沖寬度10ns；
? 可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字集成電路方法、存儲器電路和混合集成電路的功能測試能力行動力；
? 最多可以配置多達(dá)6個(gè)程控電源（選件）；可以提供高達(dá)104A的電流切實把製度，老化電源可以并聯(lián)使用保供；
? 還配置了4路可編程參考電源（Vref）；
? 1G超大矢量存儲器進行部署；
? PTDM模塊均有時(shí)鐘發(fā)生器責任、地址發(fā)生器（包括1個(gè)16位加減Refresh地址計(jì)數(shù)器）、數(shù)據(jù)發(fā)生器保護好、掃描發(fā)生器組建、圖形發(fā)生器和信號格式化器等信號發(fā)生能力，滿足各種器件的功能測試要求特點；
? 算法圖形發(fā)生器實(shí)現(xiàn)存儲器激勵(lì)信號的產(chǎn)生和輸出信號監(jiān)測
? I/O通道均具備三態(tài)編程控制及信號格式化（NRZ, DNRZ, RTZ, RTO, SBC,FORCE）能力深刻變革，最多可以多達(dá)16組；
? 具備拓?fù)浼岸嗦忿D(zhuǎn)換功能和諧共生；
標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格或主要參數(shù)：
? 適合于EDA的HD型和HD/H型老化板質生產力；
? PTDM模塊的主要參數(shù)：
? 1G矢量存儲器和失效存儲器；
? 主時(shí)鐘：50MHz技術交流，定時(shí)分辨率：10ns推動；
? 最多可提供256 I/O通道，48個(gè)激勵(lì)信號通道和32個(gè)特殊監(jiān)測通道資源配置；
? 多達(dá)4組不同的Vih和Vil數(shù)字信號電平編程設(shè)置能力信息，保證混合工藝器件的功能測試能力；
? Vih編程范圍：0-8V相互融合、Vil編程范圍（）：0V～2V首要任務；測試閾值電平Vth編程范圍：0V～8V；
? 48路激勵(lì)通道具備超高信號高電平Vihh的編程能力不同需求，編程范圍：0V～15V發展；
? On-the -fly時(shí)鐘邊沿設(shè)置數(shù)量：32個(gè)保持穩定；
? I/O通道具備NRZ, DNRZ, RTZ, RTO等格式化編程能力；
? 通道矢量深度：32M
? 每個(gè)信號通道的連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流能力：200mA面向，峰值驅(qū)動(dòng)電流：3A支撐作用；
? 4路可編程參考電壓，另外最多可選配6組程控老化電源建設項目，可提供108A老化電流最為突出；
? 可選配模擬模塊，每個(gè)模塊的模擬通道：4路相結合，具備各種標(biāo)準(zhǔn)模擬信號的產(chǎn)生能力高效化；
