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簡介：SimilartographeneandMoS2,TiTe?isalsolayeredmaterial（layeredtransitionmetaldichalcogenide）crystalli...

簡介：硒化鉍晶體Bi2Se3（BismuthSelenide）晶體尺寸：10毫米電學性能：拓撲絕緣體晶體結構：菱面體晶胞參數：a=b=0.413,c=2.856nm,α=β=90#176;,γ=120#...

簡介：硒化鎵晶體2H-GaSe（GalliumSelenide）晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.374nm,c=1.592nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡介：硒化鍺晶體GeSe（GermaniumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體晶體結構：斜方晶系晶胞參數：a=0.383nm,b=0.440nm,c=1.078nm,α=β=γ=90...

簡介：二硒化鉿晶體HfSe2（HafniumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.3745nm,c=0.6160nm,α=β=90#176;,γ=1...

簡介：硒化銦晶體In2Se3（IndiumSelenide）晶體尺寸：8-10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.398nm,c=18.89nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡介：二硒化鉬晶體2H-MoSe2（MolybdenumDiselenide）-P型晶體尺寸：~10毫米電學特性：P型半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.329nm,c=1.289nm,α=β=...

簡介：晶體尺寸：~6毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：取決于合金成分：a=b=0.31-0.33nmandc=1.21-1.29nm,α=β=90#176;,γ=120#176;晶體類型：合...

簡介：硒化鎢鉬晶體MoWSe2（MolybdenumTungstenDiselenide）晶體尺寸：6毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：取決于合金成分：a=b=0.31-0.33nmandc...

簡介：二硒化鈮晶體2H-NbSe2（NiobiumSelenide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：金屬集聚效應，半導體（TC~7.2k）ChargeDensityWaves（CDW）system,Tcdw~33...