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簡介:硒化銦晶體(99.995%)InSe晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3...
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簡介:硒化銦晶體(99.995%)InSe晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料使用,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3...
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簡介:二硒化鎢鈀晶體(99.995%)PdSe2晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料大幅拓展,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,...
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簡介:二硒化鎢鈀晶體(99.995%)PdSe2晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,...
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簡介:硒化鎢晶體(硫摻雜)(99.995%)WSSe晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料更加堅強,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSS...
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簡介:硒化鎢晶體(硫摻雜)(99.995%)WSSe晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料與時俱進,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSS...
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簡介:三硒化錳(磷摻雜)晶體(99.995%)MnPSe3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,...
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簡介:三硒化錳(磷摻雜)晶體(99.995%)MnPSe3晶體類型:合成晶體純度:>99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料初步建立,新增材料:FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,...
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簡介:BismuthSelenide(Bi?Se?)Developedatourfacilitiessinceearly2011tooptimizetheperfectstoichiometryands...
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簡介:WorldrecordsizesinglecrystalSnSe?(Tindiselenide)crystalsaredevelopedatourfacilitiesusingstate-of-a...
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簡介:NiobiumatomsareperfectlyincorporatedintoReSe?matrix.
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簡介:OurMoWSe2alloyswiththechemicalformulaMoxW(1-x)Se2crystalsperfectlycrystallizein2Hphaseandcomeatdif...
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簡介:Superconductivityinmonolayers.Currently,2Daspectofthismaterialremainslargelyunexplored.
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