直播推薦
企業(yè)動(dòng)態(tài)
- 上海華為數(shù)字能源公司與簽定華測(cè)儀器高阻高壓表
- 福建正味生物科技有限公司采購(gòu)佳航全自動(dòng)熔點(diǎn)儀Digipol-M70
- 宿遷禾潤(rùn)昌公司在我司定購(gòu)HCDJC-50KV電壓擊穿試驗(yàn)儀
- 江蘇知美美妝集團(tuán)有限公司采購(gòu)佳航的全自動(dòng)密度計(jì)Digipol-D50
- 梓夢(mèng)- 世界中醫(yī)藥學(xué)會(huì)聯(lián)合會(huì)經(jīng)皮給藥專(zhuān)委會(huì)第十屆學(xué)術(shù)會(huì)議圓滿結(jié)束
- 便攜式能見(jiàn)度儀的新聞介紹總結(jié)會(huì)2025年
- 卓立漢光質(zhì)量*里行推出雙線服務(wù)模式:線上線下結(jié)合打破時(shí)空限制
- 瑞浦蘭鈞再度采購(gòu)華測(cè)電弱點(diǎn)試驗(yàn)儀 深化鋰電池隔膜質(zhì)量檢測(cè)合作
推薦展會(huì)
衛(wèi)生紙基微波吸收材料與全自動(dòng)化拉曼光譜儀的跨學(xué)科應(yīng)用
研究背景
隨著 5-6 代通信技術(shù)的快速發(fā)展取得明顯成效,電磁污染問(wèn)題日益突出約定管轄,對(duì)低成本、寬頻高效的微波吸收材料(MAMs)需求迫切創新的技術“l揮;谔季€圈(CC)的微波吸收材料(MAMs)因其獨(dú)*的3D螺旋形狀顯著、優(yōu)異的分散性和適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電性,在微波吸收(MA)領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景積極性。然而,CC通常生長(zhǎng)在平坦和堅(jiān)硬的基材(如 Al?O?不斷豐富、石英實施體系、陶瓷)上上,隨后從基材上刮下各有優勢。亞穩(wěn)態(tài)的消耗和刮削過(guò)程不可避免地增加了制備成本效果較好,這限制了CC的大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用。碳酸化衛(wèi)生紙(CTP)不僅是一種廉價(jià)高效的MAM持續,而且具有催化劑負(fù)載能力等多個領域,使其適合作為CC生長(zhǎng)的基材。同時(shí)產品和服務,CTP和生長(zhǎng)的CC可以一起用作MAM應用擴展,而無(wú)需將它們彼此分離。這大大降低了生產(chǎn)成本增多。
大連理工大學(xué)潘路軍教授課題組活動上,在近期工作提中,通過(guò)鎳催化化學(xué)氣相沉積工藝在CTP上成功合成了螺旋碳微線圈(CMC)進一步推進。CTP和CMC形成了一種集成的吸收復(fù)合材料導向作用,其中螺旋CMC同時(shí)增強(qiáng)了導(dǎo)電損耗和交叉極化損耗,CTP和CMC之間的連接引起了界面極化損耗應用的選擇。通過(guò)精確控制催化劑的量十大行動,可以調(diào)節(jié)CTP/CMC的阻抗。優(yōu)化后的CTP/CMC-10復(fù)合材料具有優(yōu)異的微波吸收性能背景下,有效帶寬(反射損耗<-10 dB)為7.4 GHz綜合措施,填充率為10%。這項(xiàng)工作為開(kāi)發(fā)低成本自然條件、寬帶和高效的MAM鋪平了新的道路建言直達。該成果以“Integration of helical carbon microcoils on toilet paper substrates for low-cost and broadband microwave absorption”為題發(fā)表在《Carbon》期刊,第一作者是鄧劉金博將進一步。
研究成果
圖1展示了CTP/CMC的制備流程充分發揮。將衛(wèi)生紙切成30×30毫米的正方形。在鎳催化劑被均勻地噴涂在衛(wèi)生紙上成就。將噴涂有鎳催化劑的薄紙放置在管式爐中重要方式,將衛(wèi)生紙位置加熱至710°C。最后研究進展,通過(guò)引入25sccm的C2H2氣體和流量比為350sccm的Ar氣氛1小時(shí)來(lái)合成CMS/CNC無障礙。在其他條件不變的情況下連日來,將Ni催化劑噴涂在衛(wèi)生紙上5次、10次和20次認為,所得樣品分別標(biāo)記為CTP/CMC-5系統、CTP/CMC-10和CTP/CMC-20。
圖1:CTP/CMCs的SEM圖
圖2顯示了噴涂到CTP上的Ni納米催化劑的SEM圖像重要意義。CTP纖維呈扁平的線性形狀交流等,寬度約為15.0μm。鎳納米粒子均勻地涂覆在CTP上規劃。隨著噴涂次數(shù)的增加提高,鎳催化劑的負(fù)載量顯著增加。CMC呈現(xiàn)螺旋結(jié)構(gòu)進入當下,大量CMC在CTP基材上合成紮實。
圖2:CTP/CMC的SEM圖
圖3顯示了CTP/CMC-10的TEM圖像,CMC呈現(xiàn)螺旋形態(tài)新體系。CMC內(nèi)的碳呈現(xiàn)出非晶態(tài)多晶結(jié)構(gòu)投入力度。碳原子層之間的平均間距為0.37nm。在CMC的XRD中觀察到24.5°和43.0°處的兩個(gè)寬峰不難發現,分別對(duì)應(yīng)于石墨碳的(002)和(100)平面法治力量。沒(méi)有觀察到Ni的吸收峰,這可能是由于鎳含量低分享。CTP/CMC-5共享、CTP/CMC-10和CTP/CMC-20的ID/IG值分別為2.51、2.44和2.37方式之一。由于CMC的缺陷水平低于CTP生動,ID/IG值逐漸降低。CTP/CMC復(fù)合材料的石墨化程度增加創新能力。
圖3: CTP/CMC-10的TEM圖像新品技,XRD,拉曼光譜和FTIR光譜求得平衡。
圖4顯示了CTP/CMC的復(fù)介電常數(shù)紮實做。CTP/CMC的介電常數(shù)隨著鎳噴涂次數(shù)的增加而逐漸增加。ε^''的逐漸增加表明CMC的生長(zhǎng)豐富了導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)至關重要。圖4d-f顯示了科爾-科爾半圓臺上與臺下。在圖4d中,CTP/CMC-5顯示了兩個(gè)半圓技術發展,這歸因于螺旋CMC引起的交叉極化和CMC和CTP內(nèi)的多晶無(wú)定形碳引起的界面極化集聚效應。在圖4e中,CTP/CMC-10呈現(xiàn)三個(gè)半圓重要手段。半圓數(shù)量的增加表明互動講,除了多晶非晶碳之間的交叉極化和交叉極化外穩定性,CTP和CMC之間還形成了界面,增加了極化位點(diǎn)過程中,改善了界面極化去突破。在圖4f中,CTP/CMC-20顯示了兩個(gè)半圓達到,與CTP/CMC-10相比智能設備,其偏振數(shù)較低。這是由于CMC增長(zhǎng)顯著增加智慧與合力,CTP/CMC-20中幾乎完*是CMC喜愛,減少了CMC和CTP之間的界面重要的角色。
圖4:CTP/CMC電磁參數(shù)開放要求。
圖5顯示了CTP/CMC的RL曲線。圖5a顯示CTP/CMC-5的MA性能較差平臺建設。在5.9 GHz和5.5 mm厚度下服務機製,RLmin值為-17.4 dB。從圖5b可以看出使用,CTP/CMC-10表現(xiàn)出優(yōu)異的MA性能大幅拓展,RLmin為-40.1 dB(7.6 GHz,3.5 mm)更加堅強,EAB為7.4 GHz(10.6-18.0 GHz與時俱進,2.2 mm)。此外初步建立,如圖5c所示綜合運用,CTP/CMC-20表現(xiàn)出良好的MA性能,EAB為6.5 GHz(11.5-18.0 GHz的方法,2.2mm)實事求是。圖5d-f顯示了CTP/CMC的阻抗匹配。圖5d顯示CTP/CMC-5樣品的Z峰約為1.3落到實處,表明阻抗不匹配責任製。如圖5e所示,CTP/CMC-10的Z峰約為1.0(紅線)倍增效應,表現(xiàn)出良好的阻抗匹配規則製定。這表明CMC的生長(zhǎng)調(diào)節(jié)了CTP/CMC的阻抗,促進(jìn)了其MA性能優化服務策略。如圖5f所示發揮效力,CTP/CMC-20的Z峰為0.8,阻抗匹配度不如CTP/CMC-10明顯,這與MA性能是一致的安全鏈。
圖5:CTP/CMCs的吸波性能
圖6顯示了CTP/CMC的MA機(jī)制顯示。CTP具有成本低、重量輕和寬帶吸收的優(yōu)點(diǎn)真正做到,同時(shí)為CMC的生長(zhǎng)提供了天然的基質(zhì)科普活動。螺旋CMC的合成同時(shí)改善了電導(dǎo)率損失和交叉極化損失。同時(shí)強化意識,CTP和CMC之間的連接會(huì)產(chǎn)生許多極化位點(diǎn)長期間,從而增強(qiáng)界面極化。通過(guò)改變Ni催化劑的量現場,可以調(diào)節(jié)CMC的生長(zhǎng)高端化,這也調(diào)節(jié)了CTP/CMC的阻抗。由于其豐富多樣的吸收機(jī)制我有所應,CTP/CMC-10取得了優(yōu)異的MA性能提單產。
圖6:CTP/CMCs吸波機(jī)制
綜上,通過(guò)鎳催化CVD工藝成功合成了集成螺旋CTP/CMC至關重要。CTP不僅是一種廉價(jià)高效的MAM發展空間,而且具有催化劑負(fù)載能力,使其適合作為CC生長(zhǎng)的底物有所應。CTP和CMC形成集成的MA復(fù)合材料足了準備,其中螺旋CMC同時(shí)增強(qiáng)導(dǎo)電損耗和交叉極化損耗,CTP和CMC之間的連接引起界面極化損耗著力提升。通過(guò)精確控制催化劑的量深刻內涵,可以調(diào)節(jié)CTP/CMC的阻抗。優(yōu)化后的CTP/CMC-10復(fù)合材料具有優(yōu)異的微波吸收性能融合,EAB為7.4 GHz深入闡釋,填充率為10%。這項(xiàng)工作促進(jìn)了低成本各方面、寬帶和高效MAM的發(fā)展防控。
課題組簡(jiǎn)介
潘路軍,大連理工大學(xué)物理學(xué)院教授適應性,博士生導(dǎo)師堅實基礎。1988年于西安交通大學(xué)電氣工程系電氣絕緣技術(shù)專(zhuān)業(yè)本科畢業(yè);1994年赴日本大阪府立大學(xué)工學(xué)部電子物理專(zhuān)業(yè)留學(xué)重要作用。2000年獲博士學(xué)位并留校擔(dān)任助理教授等地,其間兼任日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)(JST)及日本新能源和產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)研究員;2007年底回國(guó)工作尤為突出,受聘大連理工大學(xué)教授規定,博士生導(dǎo)師。歷任物理與光電工程學(xué)院光電工程系主任、物理與光電實(shí)驗(yàn)中心主任高質量、光學(xué)學(xué)科點(diǎn)負(fù)責(zé)人相對簡便。近5年在《Advanced Functional Materials》、《Nano Energy》流程、《Nano-Micro Letters》合作、《Energy Storage Materials 》、《Chemical Engineering Journal 》助力各業、《Small》極致用戶體驗、《Carbon》等國(guó)際著名納米期刊上發(fā)表論文80余篇;主編《基礎(chǔ)光學(xué)》應用,參編《ディスプレイ材料と機(jī)能性色素(顯示器材料和機(jī)能色素)》建議、《フィールドエミッションディスプレイ(場(chǎng)發(fā)射型顯示器)》、《Handbook of Nano Carbon (納米碳手冊(cè))》
免責(zé)說(shuō)明
北京卓立漢光儀器有限公司公眾號(hào)所發(fā)布內(nèi)容(含圖片)來(lái)源于原作者提供或原文授權(quán)轉(zhuǎn)載相貫通。文章版權(quán)不斷發展、數(shù)據(jù)及所述觀點(diǎn)歸原作者原出處所有,北京卓立漢光儀器有限公司發(fā)布及轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息及用于網(wǎng)絡(luò)分享集聚效應。
如果您認(rèn)為本文存在侵權(quán)之處集成,請(qǐng)與我們聯(lián)系重要手段,會(huì)第一時(shí)間及時(shí)處理互動講。我們力求數(shù)據(jù)嚴(yán)謹(jǐn)準(zhǔn)確,如有任何疑問(wèn)像一棵樹,敬請(qǐng)讀者不吝賜教過程中。我們也熱忱歡迎您投稿并發(fā)表您的觀點(diǎn)和見(jiàn)解。
關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
本研究采用的是北京卓立漢光儀器有限公司Finder 930全自動(dòng)化激光共聚焦拉曼光譜儀性能穩定,如需了解該產(chǎn)品全面革新,歡迎咨詢(xún)。
免責(zé)聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來(lái)源:儀器網(wǎng)”的所有作品情況正常,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品行業分類,未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品提高鍛煉。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的發展邏輯,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,并注明“來(lái)源:儀器網(wǎng)”有所提升。違反上述聲明者聽得進,本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源(非儀器網(wǎng))的作品先進水平,目的在于傳遞更多信息便利性,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),不承擔(dān)此類(lèi)作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體深刻認識、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)核心技術,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任主動性。
- 如涉及作品內(nèi)容溝通協調、版權(quán)等問(wèn)題,請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系體系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利保障性。
2025北京軍工展|第十四屆國(guó)防信息化裝備與技術(shù)博覽會(huì)
展會(huì)城市:北京市展會(huì)時(shí)間:2025-06-12