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KJ NdGaO3單晶基片

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合肥科晶提供A-Z系列晶體

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產(chǎn)品名稱:鎵酸釹(NdGaO3)晶體基片
產(chǎn)品簡介:                                                                  NdGaO3是近十年中發(fā)展起來的新型基片發揮,主要用作高溫超導體(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生長用基片顯著。由于NdGaO3與YBCO的晶格失配很小(~0.27%)開放以來,且無結(jié)構(gòu)相變占,在NdGaO3基片上可外延生長質(zhì)量良好的薄膜高質量。
技術(shù)參數(shù):

 

 晶體結(jié)構(gòu) 正交
 晶體參數(shù)Å a=5.43, b=5.50, c=7.71
 熔點℃ 1600
 密度g/cm3 7.57
 介電常數(shù) 25
 生長方法 提拉法

 

產(chǎn)品規(guī)格:

<001>, <110>, <100>公差:±0.5度

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x3x0.5mm

單拋激發創作,Ra<5A

注:也可根據(jù)客戶需求定制相應(yīng)的尺寸和大小

標準包裝:1000級超凈室100級超凈袋真空包裝


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