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KJ LiNbO3晶體基片

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產(chǎn)品名稱:                                                鈮酸鋰(LiNbO3)晶體基片
產(chǎn)品簡介:鈮酸鋰是非線性光學(xué)級晶體發行速度,廣泛應(yīng)用于參量振蕩器更加堅強、倍頻、聲光器件性能、光學(xué)調(diào)制器初步建立。MgO的摻入可有效提高晶體的抗損傷閾值、科晶公司可以提供大量φ2"供給,φ3"及各種其它尺寸的光學(xué)級LiNbO3基片的方法,*,*重要的意義。

 

 

 

 

 

常規(guī)參數(shù):

晶體結(jié)構(gòu)三方持續,a=b=5.148Å,c=13.863Å
生長方法提拉法
熔點1250℃
比重4.64g/cm2
居里溫度~1140℃
莫氏硬度5 Mohs
熱膨脹系數(shù)a11=15.4×10-6/K  a33=7.5×10-6/K
折射率n0=2.286 ne=2.203 @632.8nm
光譜透過波長0.4~2.90μm
非線性系數(shù)D33=34.45,d31=d15=5.95,d22=13.07(pmV-1)
電光系數(shù)γ13=9,γ22=3.4,γ33=31,
光譜透過范圍透過率 370~5000nm
>68% @632.8nm
表面粗糙度Ra:<5A
塞米爾方程(λ:um)n02(λ)=4.9048+0.11768/(λ2-0.04750)-0.027169λ2
ne2(λ)=4.5820+0.099169/(λ2-0.04443)-0.021950λ2

 

產(chǎn)品規(guī)格

晶體光學(xué)級LiNbO3聲表級LiNbO3
軸向X cut / Z cut (+/-0.2°)Y cut/64°Y cut/128°Y cut
直徑

dia3"+/-0.3mm

dia100mm+/-0.3mm

dia3"+/-0.3mm

dia100mm+/-0.3mm

基準(zhǔn)面

 22mm+/-2mm

32mm+/-2mm

22mm+/-2mm

32mm+/-2mm

厚度

500um+/-5mm

1000um+/-5mm

500um+/-20mm

350um+/-20mm

表面質(zhì)量雙面拋光雙面拋光
TTV≤10um≤10um
居里溫度1142℃+/-0.7℃1142℃+/-3℃
邊緣倒角edge roundingedge rounding (DTA method)
標(biāo)準(zhǔn)包裝:1000級超凈室等多個領域,100級超凈袋或單片盒封裝


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