原子層沉積(ALD)是一項真正意義上的納米技術，使納米超薄薄膜以一種精確控制的方式沉積大幅拓展。
原子層沉積ALD有兩個特征;
自限性原子分層技術增長和高保形涂層發行速度。這些特征在半導體工程、微機電系統(tǒng)和其他納米技術的應用程序使用方面展現(xiàn)許多優(yōu)勢與時俱進。
原子層沉積的優(yōu)勢
原子層沉積的過程正是每個周期中單個原子層沉積的過程性能，*控制的沉積是一個獲得納米尺度的過程:
保形涂層即使在高深寬比和復雜的結(jié)構(gòu)中也可以實現(xiàn)
可實現(xiàn)針孔和無顆粒沉積
一個非常廣泛的材料與原子層沉積是可能的，例如:
氧化物：Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2
氟化物：MgF2, AlF3
有機雜化材料：Alucone
氮化物：TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN
金屬：Pt, Ru, Pd, Ni, W
硫化物：ZnS
ALD工具比較
原子層沉積系統(tǒng)包括FlexAL和OpAL 兩款綜合運用。
