半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元攻堅克難，均采用多量程設(shè)計(jì)管理，測(cè)試精度為0.1%。其中雙向互動，柵極-發(fā)射極效率和安，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流品牌；集電極-發(fā)射極深入開展，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs等形式，且具備電壓高速同步采樣功能技術的開發；蕞高支持3500V電壓輸出至關重要，蕞高擴(kuò)展到12kV，

半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流服務品質，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)的發生；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)影響，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間新的動力。實(shí)施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體發展契機，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET廣泛關註、BJT、IGBT以及SiC發力、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)優勢領先，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量共創美好、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)推動並實現。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容覆蓋範圍、輸出電容優化程度、反向傳輸電容等。

系統(tǒng)特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：
 
單臺(tái)Z大3500V輸出又進了一步；
 
單臺(tái)Z大1000A輸出多種場景，可并聯(lián)后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿規劃；
 
同步測(cè)量擴大公共數據；
 
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；

系統(tǒng)指標(biāo)

測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces帶動擴大，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces核心技術體系、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發(fā)射極電壓Vges性能、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容初步建立、輸出電容綜合運用、反向傳輸電容     

續(xù)流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描供給，C-V特性曲線掃描等
 
普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（如MOSFET實事求是、BJT進行探討、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)服務水平，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA最新。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)技術創新，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻重要作用，皮安級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)持續向好。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容充足，輸出電容進展情況、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)綠色化發展，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊至關重要，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。 

目前用上了，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A提升行動、300mV-12KV的電壓電流范圍，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出覺(jué)對(duì)優(yōu)勢(shì)關註。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面研究進展，我司在8000V、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于覺(jué)對(duì)優(yōu)勢(shì)地位機遇與挑戰。更多有關(guān)半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的信息上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢