普賽斯儀表高功率半導(dǎo)體檢測設(shè)備三代半測試機是一款能夠提供IV高質量、 CV也逐步提升、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng)，具有高精度註入了新的力量、寬測量范圍重要的作用、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢

隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展去創新，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進足夠的實力，功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)結構、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展更適合，它們通常具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率溝通協調、高遷移率要素配置改革、高飽和電子速度、高電子密度保障性、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點影響力範圍，使其在光電器件、電力電子新創新即將到來、射頻微波器件邁出了重要的一步、激光器和探測器等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展領(lǐng)城設施。另外發展的關鍵，由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功奉半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異，在不同應(yīng)用場景各具優(yōu)勢規模設備。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性真諦所在，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰(zhàn)，主要表現(xiàn)在以下方面：

測量精度方面
高流高壓精確測量：隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC（碳化硅）或GaN（氮化鎵）等的發(fā)展競爭力，其工作在高電壓充分、大電流條件下，擴展了高壓集聚、高速的分布區(qū)間競爭力。傳統(tǒng)測量技術(shù)或儀器難以精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，對測試工具提出了更高要求，需要具備高電壓和大電流特性機製性梗阻、μΩ級導(dǎo)通電阻精確測量機製、納安級電流測量能力等。
噪聲抑制：在高精度測量時集成應用，外界電磁干擾探討、測試系統(tǒng)內(nèi)部的噪聲等會影響測量結(jié)果的準確性。例如高效流通，微弱的柵極漏電流測量調解製度，容易受到噪聲干擾，需要采取有效的噪聲抑制措施功能，如良好的電磁屏蔽應用的因素之一、濾波等。
溫度影響：功率器件的參數(shù)受溫度影響較大預期，如閾值電壓敢於監督、導(dǎo)通電阻等。要精確測量靜態(tài)參數(shù)結構，需要在不同溫度下進行測試重要的作用，這就要求測試系統(tǒng)具備高精度的溫度控制模塊，且溫度控制要穩(wěn)定強大的功能，以確保測試結(jié)果的一致性和可重復(fù)性實際需求。

器件特性方面
閾值電壓漂移：對于SiC MOSFET等器件，其閾值電壓具有不穩(wěn)定性優勢，在測試過程中會有明顯漂移善謀新篇，電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結(jié)果嚴重依賴于測試條件。掃描模式也會對閾值電壓漂移產(chǎn)生影響便利性，增加了準確測量閾值電壓的難度方法。
新型器件特性復(fù)雜：第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件如SiC、GaN 等提供有力支撐，具有與傳統(tǒng) Si 基器件不同的特性切實把製度。例如，GaN HEMT器件存在陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)自行開發，陷阱效應(yīng)會引起柵和漏滯后效應(yīng)進行部署，自熱效應(yīng)體現(xiàn)在脈寬對器件測試的影響，這使得測試和建模工作更加復(fù)雜應用情況。

測試效率方面
并聯(lián)應(yīng)用與量產(chǎn)需求：在實際應(yīng)用中保護好，功率器件常采用并聯(lián)方式，這要求測試精度提高以確保器件的一致性表現。同時特點，終端市場需求量大深刻變革，對于量產(chǎn)階段的測試，需要提高測試效率和諧共生，提升單位時間產(chǎn)出（UPH）質生產力，這對測試系統(tǒng)的自動化程度、測試速度等提出了更高要求技術交流。

測試系統(tǒng)設(shè)計方面
高壓與低壓隔離：測試系統(tǒng)中存在高壓和低壓部分先進的解決方案，需要進行有效的隔離，避免噪聲干擾在此基礎上，確保測量精度助力各行。PCB設(shè)計時要合理規(guī)劃布局前來體驗，采用合適的隔離技術(shù)和材料自主研發。
保護電路設(shè)計：功率器件測試過程中，可能會出現(xiàn)過壓更加廣闊、過流等情況損耗，容易損壞被測器件或測試系統(tǒng)。因此保持穩定，需要設(shè)計可靠的保護電路總之，如TVS二極管、過壓過流保護電路等支撐作用，并實時監(jiān)測電流/電壓研學體驗，超線時立即切斷電源并保存故障日志。

測試標準與規(guī)范方面
行業(yè)標準差異：不同的應(yīng)用領(lǐng)域和行業(yè)可能有不同的測試標準和規(guī)范最為突出，如JEDEC標準等落實落細。測試系統(tǒng)需要參考并符合相關(guān)的行業(yè)標準，以確保測試結(jié)果的可比性和可靠性高效化。對于新型功率器件製高點項目，相關(guān)的測試標準可能還在不斷完善和發(fā)展中，這也給測試帶來了一定的不確定性範圍和領域。
定制化需求：不同用戶可能有不同的測試需求和特殊要求有所增加，例如針對特定應(yīng)用場景的測試參數(shù)調(diào)整、測試報告格式定制等更高要求。測試系統(tǒng)需要具備一定的靈活性和可擴展性越來越重要的位置，以滿足用戶的定制化需求。

圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試中的常見問題共同學習，如掃描模式對SiC MOSFET閾值電壓漂移的影響順滑地配合、溫度及脈寬對SiC MOSFET導(dǎo)通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導(dǎo)通壓降測試的影響應用優勢、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度高質量發展，針對測試中存在的測不準改善、測不全生產效率、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案，具備更優(yōu)的測試能力深度、更準確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力發展目標奮鬥。具有高電壓和大電流特性組建、μΩ級導(dǎo)通電阻精確測量、納安級電流測量能力等特點需求。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容堅定不移，如輸入電容、輸出電容更讓我明白了、反向傳輸電容等推進高水平。

更多有關(guān)高功率半導(dǎo)體檢測設(shè)備三代半測試機的詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢深化涉外，目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A生產製造、300mV-10KV的電壓電流范圍開展試點，并在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出覺對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測試需求方面共同，我司在8000V推進一步、1000A以上量程及測試性能均處于覺對優(yōu)勢地位。此外簡單化，在大功率激光器測試力度、PD明確了方向、APD、SPAD勇探新路、SIPM晶圓測試及老化電源市場單產提升，普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場景的需求。