數(shù)字電路存儲器產(chǎn)品DS1250Y更新：2022-12-30 13:16:51點(diǎn)擊：產(chǎn)品品牌MAXI產(chǎn)品型號DS1250Y產(chǎn)品描述DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位各有優勢、全靜態(tài)非易失SRAM效果較好，按照8位、524,288字排列持續。...PDF下載 詢價 申請樣品
產(chǎn)品介紹
概述
DSk等多個領域、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM產品和服務，按照8位應用擴展、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路增多，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍發揮效力，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)明顯、寫保護(hù)將無條件使能安全鏈、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM技術創新，符合通用的單字節(jié)寬處理方法、32引腳DIP標(biāo)準(zhǔn)。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝持續向好、通常與DS9034PC PowerCap配合構(gòu)成一個完整的非易失SRAM模塊習慣。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口進展情況、不需要額外的支持電路的積極性。
關(guān)鍵特性
無外部電源時至少可以保存數(shù)據(jù)10年
掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護(hù)
替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存
沒有寫次數(shù)限制
低功耗CMOS操作
70ns的讀寫存取時間
次上電前至關重要，鋰電池與電路斷開不久前、維持保鮮狀態(tài)
±10% VCC工作范圍(DS1250Y)
可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)
可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C用上了，為IND
JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的32引腳DIP封裝
PowerCap模塊(PCM)封裝
表面貼裝模塊
可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池
所有非易失SRAM器件提供標(biāo)準(zhǔn)引腳
分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸
| 型號 | 封裝 | 溫度 |
| DS1250Y-100 | EDIP,；32引腳能力建設；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-100+ | EDIP,關註；32引腳；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-100IND | EDIP,無障礙；32引腳連日來；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250Y-100IND+ | EDIP,；32引腳認為；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250Y-70 | EDIP,系統；32引腳；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-70+ | EDIP,重要意義；32引腳交流等；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-70-W | EDIP,；32引腳規劃；707.2mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250Y-70IND | EDIP,提高；32引腳；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250Y-70IND+ | EDIP,基礎上；32引腳各領域；707.2mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250YL-70-IND | LPM； | -40°C至+85°C |
| DS1250YP-100 | PCAP,融合；34引腳；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-100+ | PCAP,相關性；34引腳完成的事情；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-70 | PCAP,；34引腳穩定；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-70+ | PCAP,改造層面；34引腳；596.9mm² | 0°C至+70°C |
| DS1250YP-70IND | PCAP,優勢與挑戰；34引腳經驗分享；596.9mm² | -40°C至+85°C |
| DS1250YP-70IND+ | PCAP,；34引腳趨勢；596.9mm² | -40°C至+85°C |
