直探頭 直探頭也稱平探頭，可發(fā)射及接受縱波積極拓展新的領域。直探頭主要由壓電晶片配套設備、阻尼塊（吸收塊）及保護(hù)膜組成。（1）壓電晶片 壓電晶片的厚度與超聲頻率成反比相對開放。（2）保護(hù)膜 直探頭為避免晶片與工件直接接觸而磨損晶片推進高水平，在晶片下粘合一層保護(hù)膜，有軟性保護(hù)和硬性保護(hù)兩種溝通機製。（3）阻尼塊 阻尼塊又名吸收塊好宣講，其作用為降低降低晶片的機(jī)械品質(zhì)系數(shù)註入新的動力，吸收聲能量。如果沒有阻尼塊，電振蕩脈沖停止時(shí)雙重提升，壓電晶片因慣性作用，仍繼續(xù)振動(dòng)事關全面，加長(zhǎng)了超聲波的脈沖寬度表現明顯更佳，使盲區(qū)增大，分辨力差技術節能。
斜探頭 超聲波探傷儀斜探頭可發(fā)射及接收橫波指導。斜探頭主要由壓電晶片、阻尼塊和斜楔塊組成國際要求。晶片產(chǎn)生縱波流動性，經(jīng)斜楔傾斜入射到被測(cè)工件中，轉(zhuǎn)換為橫波競爭激烈。斜楔為有機(jī)玻璃追求卓越，被測(cè)工件為鋼，斜探頭的角度（即入射角）在28°~61°之間時(shí)參與能力，在鋼中可產(chǎn)生橫波。斜楔的形狀應(yīng)使聲波在斜楔中傳播時(shí)不得返回晶片是目前主流，以免出現(xiàn)雜波充分發揮。直探頭在液體中傾斜入射工件時(shí)，也能產(chǎn)生橫波充分發揮。
雙探頭 超聲波探傷儀雙探頭又稱組合探頭選擇適用，兩塊壓電晶片裝在一個(gè)探頭架內(nèi)，一個(gè)晶片發(fā)射設計，另一個(gè)接收業務指導。雙探頭發(fā)射及接收縱波，晶片下的延遲塊使聲波延遲一段時(shí)間后射入工件就此掀開，這樣可探測(cè)近表面的缺陷并可提高分辨力長足發展。兩塊晶片有一傾角（一般約3°~18°），兩晶片聲場(chǎng)重合部分（陰影部分）穩步前行，是探傷靈敏度較高的部位結構不合理。
