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GeminiSEM 掃描電子顯微鏡

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為對任意樣品進(jìn)行高水準(zhǔn)的成像和分析而生蔡司GeminiSEM系列產(chǎn)品具有出色的探測效率,能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像

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為對任意樣品進(jìn)行高水準(zhǔn)的成像和分析而生

       蔡司 GeminiSEM 系列產(chǎn)品具有出色的探測效率相互配合,能夠輕松地實現(xiàn)亞納米分辨成像慢體驗。無論是在高真空還是在可變壓力模式下,更高的表面細(xì)節(jié)信息靈敏度讓您在對任意樣品進(jìn)行成像和分析時都具備更佳的靈活性相對簡便,為您在材料科學(xué)研究重要組成部分、生命科學(xué)研究、工業(yè)實驗室或是顯微成像平臺中獲取各種類型樣品在微觀世界中清晰合作、真實的圖像勃勃生機,提供靈活、可靠的場發(fā)射掃描電子顯微鏡技術(shù)和方案極致用戶體驗。

 特 點:

  • GeminiSEM 500 具有出色的分辨率提供有力支撐,在較低的加速電壓下仍可呈現(xiàn)給您更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息,其創(chuàng)新設(shè)計的NanoVP可變壓力模式建議,甚至讓您在使用時擁有在高真空模式下工作的感覺品率;

  • GeminiSEM 450 具有出色的易用性設(shè)計、更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度不斷發展,使其能快速積極影響、靈活、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析緊密協作,充當(dāng)您的得力助手越來越重要;

  • GeminiSEM 300 具有出色的分辨率線上線下、更高的襯度和更大且無畸變的成像視野,可方便地選取適合樣品的真空度等環(huán)境參數(shù)醒悟,使FESEM初學(xué)者也能快速掌握數據顯示;


- GeminiSEM 500 為您呈現(xiàn)任意樣品表面更強(qiáng)的信號和更豐富的細(xì)節(jié)信息,尤其在低的加速電壓下技術先進,在避免樣品損傷的同時快速地獲取更高清晰度的圖像更多的合作機會。

  • 經(jīng)優(yōu)化和增強(qiáng)的Inlens探測器可高效地采集信號,助您快速地獲取清晰的圖像認為,并使樣品損傷降至更低服務好;

  • 在低電壓下?lián)碛懈叩男旁氡群透叩囊r度,二次電子圖像分辨率1 kV達(dá)0.9nm提高鍛煉,500 V達(dá)1.0 nm發展邏輯,無需樣品臺減速即可進(jìn)行高質(zhì)量的低電壓成像,為您呈現(xiàn)任意樣品在納米尺度上更豐富的細(xì)節(jié)信息有所提升;

  • 應(yīng)用樣品臺減速技術(shù)-(Tandem decel)聽得進,可在1 kV下獲得高達(dá)0.8nm二次電子圖像分辨率;

  • 創(chuàng)新設(shè)計的可變壓力模式-NanoVP技術(shù)先進水平,讓您擁有身處在高真空模式下工作的感覺便利性。


- GeminiSEM 450 更快的響應(yīng)和更高的表面靈敏度使其能快速、靈活重要平臺、可靠地對樣品進(jìn)行表面成像和分析深刻認識,簡便、快速地進(jìn)行EDS能譜和EBSD等分析應用提升,同時保持出色的空間分辨率主動性,充當(dāng)您的得力助手。

  • 在EDS能譜和EBSD分析模式下仍保持高分辨率的成像發展的關鍵,在低電壓條件下工作時更為優(yōu)異道路;

  • 可快速地對樣品進(jìn)行大范圍及高質(zhì)量成像;

  • 經(jīng)優(yōu)化的電子光學(xué)鏡筒真諦所在,減少了工作過程中進(jìn)行重新校準(zhǔn)的復(fù)雜流程指導,節(jié)省成像時間,提高工作效率充分;

  • 無論是不導(dǎo)電樣品進一步完善、磁性樣品或是其他類型的樣品,無論是高真空或是可變壓力模式競爭力,均可實現(xiàn)快速和高質(zhì)量的成像和分析調整推進;


- GeminiSEM 300 將讓您體驗到在更高的分辨率和更佳的襯度下進(jìn)行極大視野范圍成像的樂趣,并且在高真空或是可變壓力模式下都可以實現(xiàn)。

  • 得益于高效的信號采集系統(tǒng)和優(yōu)異的分辨率性能建強保護,可實現(xiàn)快速同期、高質(zhì)量、無畸變的大范圍成像堅持先行;

  • 創(chuàng)新設(shè)計的高分辨率電子槍模式,為對磁性樣品滿意度、不導(dǎo)電樣品以及電子束敏感樣品的低電壓成像量身訂制解決方案情況較常見;

  • 蔡司獨樹一幟的鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器,在低電壓下也可輕松地獲得高質(zhì)量的樣品材料襯度圖像主要抓手;

  • NanoVP技術(shù)讓您可以使用鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器對要求苛刻的不導(dǎo)電樣品進(jìn)行高靈敏度體製、高分辨成像。

 參 數(shù):

基本規(guī)格

蔡司 GeminiSEM 500

 蔡司 GeminiSEM 450

蔡司 GeminiSEM 300

熱場發(fā)射電子槍創新科技,穩(wěn)定性優(yōu)于0.2 %/h

加速電壓

0.02 - 30 kV

探針電流

3 pA - 20 nA

3 pA - 40 nA

3 pA - 20 nA

(100   nA配置可選)

(100   nA或300 nA配置可選)

(100   nA配置可選)

存儲分辨率

達(dá)32k × 24k 像素

放大倍率

50 – 2,000,000

12 – 2,000,000

12 – 2,000,000

標(biāo)配探測器

鏡筒內(nèi)Inlens二次電子探測器

樣品室內(nèi)的Everhart Thornley二次電子探測器

可選配的

項目

鏡筒內(nèi)能量選擇背散射探測器

-

角度選擇背散射探測器

角度選擇背散射探測器

環(huán)形STEM探測器(aSTEM 4)

EDS能譜儀

EBSD探測器(背散射電子衍射)

NanoVP可變壓力模式

高效VPSE探測器(包含在NanoVP可變壓力選件中)

局部電荷中和器

可訂制特殊功能樣品臺

環(huán)形背散射電子探測器

陰極射線熒光探測器


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