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InGaAs256×1 近紅外InGaAs線陣探測器模組V1

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◎產(chǎn)品介紹芯片-電路模塊由1個256×1的InGaAs芯片、2個128×1的讀出電路及一個過渡電極板組合而成

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產(chǎn)品介紹

    芯片-電模塊由1個256×1的InGaAs芯片可能性更大、2個128×1的讀出電路及一個過渡電極板組合而成部署安排。光敏芯片采用正入射結(jié)構(gòu),光敏元為長條形結(jié)構(gòu)技術,256個光敏元呈一字型排列推廣開來,相鄰光敏元的中心距為50μm,單個光敏元尺寸為50μm×500μm技術研究。

        

圖1 產(chǎn)品照片

性能參數(shù)

產(chǎn)品典型性能見表

器件規(guī)模
256×1
像元尺寸μm2 50×500
像元中心距
50
光譜響應(yīng)μm
0.91.7
峰值探測率 cmHz1/2/W @5℃,1.55μm
≥1×1012
峰值量子效率@1.55μm %
≥85
動態(tài)范圍dB
≥70
工作溫度范圍 
-2060
貯存溫度范圍 ℃
-4070
通信接口
USB 2.0
通信方式
串口
幀率fps
20



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