DSi200/DSi300硅光電探測(cè)器———室溫型探測(cè)器，波長范圍：200-1100nm
兩種型號(hào)的探測(cè)器室的外觀相同相對簡便，其中：
DSi200型內(nèi)裝進(jìn)口紫敏硅光電探測(cè)器
DSi300型內(nèi)裝進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型硅光電探測(cè)器
推薦配合I-V放大器（型號(hào)：ZAMP）使用
兩種型號(hào)硅光電探測(cè)器的光譜響應(yīng)度曲線圖：
DSi300硅光電探測(cè)器使用建議：
DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測(cè)器重要組成部分，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前合作，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)勃勃生機，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度一站式服務；
DSi200/DSi300配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí)廣度和深度，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；
DSi200/DSi300配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)使用時(shí)引領作用，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器加強宣傳，故可不再需要另行選配前置放大器。
DSi300硅光電探測(cè)器型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：
| 技術(shù)指標(biāo)＼型號(hào)名稱 | DSi200 紫敏硅探測(cè)器 | DSi300 藍(lán)光增強(qiáng)型硅探測(cè)器 |
| 進(jìn)口紫外增強(qiáng)型 | 進(jìn)口藍(lán)光增強(qiáng)型 |
| 有效接收面積(mm2) | 100(Ø1.28) | 100(Ø1.28) |
| 波長使用范圍(nm) | 200-1100 | 350-1100 |
| 峰值波長(nm)用的舒心，典型值 | 820nm | 970nm |
| 峰值波長響應(yīng)度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) |
| 典型波長的響應(yīng)度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm |
| 響應(yīng)時(shí)間(μs) | 5.9 | 2 |
| 工作溫度范圍(℃) | -10～+60 | -10～+60 |
| 儲(chǔ)存溫度范圍(℃) | -20～+70 | -20～+70 |
| 分流電阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) |
| 等效噪聲功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 |
| zui大操作電流(mA@0V bias) | 0.1 | 10.0 |
| 結(jié)電容(pf@0V bias) | 4500 | 8800 |
| 信號(hào)輸出模式 | 電流 | 電流 |
| 輸出信號(hào)極性 | 正（P） | 正（P） |
