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高阻抗(T歐級(jí))涂層測(cè)試儀

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簡(jiǎn)要描述:高阻抗(T歐級(jí))涂層測(cè)試儀自動(dòng)換檔:通過在標(biāo)準(zhǔn)模式下監(jiān)控/最小電流值來切換電流檔位長效機製。在EIS阻抗測(cè)量中,電流檔位將隨著頻率調(diào)整和計(jì)算阻抗的變化而變化全技術方案;

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高阻抗(T歐級(jí))涂層測(cè)試儀 PGU IMP Micro是為德國弗勞恩霍夫陶瓷技術(shù)和系統(tǒng)研究所(Fraunhofer-Institut für Keramische Technologien und Systeme分享,IKTS)特殊設(shè)計(jì)的。在IPS愛譜斯標(biāo)準(zhǔn)阻抗恒電位儀PGU 10V-1A-IMP-S的基礎(chǔ)上升級(jí)成一個(gè)可靠測(cè)量高阻抗的恒電位儀PGU IMP Micro信息化。目前為止方式之一,我們能夠可靠的測(cè)量5T Ohms的阻抗(并聯(lián)25pF的電容)。IKTS期望測(cè)量5T Ohms趨勢,為此IPS愛譜斯開發(fā)了特殊的電路設(shè)計(jì)有力扭轉。PGU IMP Micro沒有功率放大器,即輸入運(yùn)算放大器也提供相等的輸出信號(hào)一站式服務,以提高信噪比廣度和深度。此外,PGU IMP Micro使用兩個(gè)輸入放大器引領作用,一個(gè)用于高頻低阻抗加強宣傳,一個(gè)用于低頻高阻抗。

PGU IMP Micro采用24 Bits ADC用的舒心,其理論電壓測(cè)量分辨率為1μV, 理論電流測(cè)量分辨率為1aA技術發展;采用26 Bits DAC,其理論施加電壓分辨率為330nV集成。

高阻抗(T歐級(jí))涂層測(cè)試儀 PGU IMP Micro采用10MHz的高頻正弦波和三角波正弦波發(fā)生器重要手段,理論上達(dá)到8000kV/s的掃描速率,受PGU IMP Micro的帶寬限制穩定性,實(shí)際上約為100kV/s像一棵樹。PGU IMP Micro同時(shí)加配了一個(gè)USB快速測(cè)量示波器模塊,可以檢測(cè)高達(dá)20MHz的信號(hào)去突破,每個(gè)通道的采樣率為100Ms能運用。


?自動(dòng)換檔:通過在標(biāo)準(zhǔn)模式下監(jiān)控/最小電流值來切換電流檔位。在EIS阻抗測(cè)量中具體而言,電流檔位將隨著頻率調(diào)整和計(jì)算阻抗的變化而變化工具;

?偏移校正:阻抗信號(hào)的測(cè)量輸出經(jīng)過有源偏移校正。因此喜愛,信號(hào)的AC交流分量被移到

線重要的角色,以限度地增強(qiáng)信噪比測(cè)量開放要求;

?極限控制:通過在EcmWin軟件中輸入閾值來控制測(cè)量過程,避免不必要的情況平臺建設;

?順序測(cè)量:OCP服務機製、線性掃描、計(jì)時(shí)測(cè)試使用、阻抗測(cè)量或電化學(xué)噪聲等方法可以隨機(jī)組合在一起大幅拓展。借助智能跳轉(zhuǎn)函數(shù),可以生成非常復(fù)雜的測(cè)量例程更加堅強。實(shí)際上緊迫性,任何特殊的測(cè)試方法都可以用它來創(chuàng)建;


<strong>高阻抗(T歐級(jí))涂層測(cè)試儀</strong>(圖1)


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