原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處覆蓋。但在原子層沉積過程中異常狀況，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子高效。
應(yīng)用領(lǐng)域：
原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度統籌發展，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和一致性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力體系。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括：
1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）
2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）
3） 光電子材料和器件
4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層
5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED）
6） 互連線勢壘層
7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）
8） DRAM開展試點、MRAM介電層
9） 嵌入式電容
10） 電磁記錄磁頭
11） 各類薄膜（<100nm）
技術(shù)參數(shù)：
基片尺寸：4英寸攜手共進、6英寸；
加熱溫度：25℃~350℃推進一步；
溫度均勻性：±1℃經過；
前體溫度范圍：從室溫至150℃，±2℃力度；可選擇加熱套明確了方向；
前驅(qū)體數(shù)：一次同時可處理多達(dá) 5 個 ALD 前體源；
PLC 控制系統(tǒng)：7英寸16 位彩色觸摸屏HMI控制勇探新路；
模擬壓力控制器：用于快速壓力檢測和脈沖監(jiān)測
樣品上載：將樣品夾具從邊上拉出即可單產提升；
壓力控制裝置：壓力控制范圍從0.1~1.5Torr
兩個氧化劑/還原劑源，如水長足發展，氧氣或氨氣今年；
在樣品上沒有大氣污染物，因?yàn)樵诔练e區(qū)的附近或上游處無 Elestamor O 型圈出現(xiàn);
氧化鋁催化劑處理能力：6-10 次/分鐘或高達(dá) 1.2 納米/ 分鐘（同類）
高縱橫比沉積結構不合理，具有良好的共形性
曝光控制動手能力，用于在 3D 結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)所需的共形性；
預(yù)置有經(jīng)驗(yàn)證過的 3D 和 2D 沉積的優(yōu)化配方；
簡單便捷的系統(tǒng)維護(hù)及安全聯(lián)鎖提升；
目前市面上占地最小大大提高，可兼容各類潔凈室要求的系統(tǒng)；
可以為非標(biāo)準(zhǔn)樣品而訂制的夾具研究成果，如 SEM / TEM 短截線
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括：
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)取得了一定進展；
2)導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3)金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)首次；
4)催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)可能性更大；
5)納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)；
6)生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)搖籃；
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)技術；
8)壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)；
9)透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10)紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12)光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13)防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)推動；
14)電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15)工藝層如蝕刻柵欄相對較高、離子擴(kuò)散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16)光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器信息、光學(xué)涂層相關、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17)傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18)磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)豐富內涵；
目前可以沉積的材料包括：
1）氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2）氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3）氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4）金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5）碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6）復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7）硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
