刻膠（resist） 概 述 光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料的發生，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介組成部分。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑新的動力、光阻等的過程中。廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)，封裝(Packaging)廣泛關註，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)促進進步，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板顯示器(LED,LCD,OLED)優勢領先，太陽能
刻膠（resist）
概 述
光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料達到，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的英文名為resist不可缺少，又翻譯為抗蝕劑蓬勃發展、光阻等。廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)積極回應，封裝(Packaging)重要性，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)，光電子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)多種場景，平板顯示器(LED,LCD,OLED)多元化服務體系，太陽能光伏(Solar PV)等領(lǐng)域規劃。
德國ALLRESIST公司是從事光刻用電子化學(xué)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的專業(yè)公司深度，有豐富的經(jīng)驗(yàn)和悠久的傳統(tǒng)帶動擴大。可以為您提供各種標(biāo)準(zhǔn)工藝所用的紫外光刻膠開拓創新，電子束光刻膠（抗蝕劑）以及相關(guān)工藝中所需要的配套試劑性能。
北京匯德信科技有限公司作為德國ALLRESIST的國內(nèi)代理經(jīng)銷商，為國內(nèi)用戶提供高品質(zhì)的光刻膠以及配套服務(wù)綜合運用。
產(chǎn)品類型：
1. 紫外光刻膠（Photoresist）
各種工藝：噴涂專用膠供給，化學(xué)放大膠，lift-off膠實事求是，圖形反轉(zhuǎn)膠進行探討，高分辨率膠，LIGA用膠等服務水平。
各種波長: 深紫外(Deep UV)最新、I線(i-line)、G線(g-line)處理方法、長波(longwave)曝光用光刻膠重要作用。
各種厚度: 光刻膠厚度可從幾十納米到上百微米。
2. 電子束光刻膠（電子束抗蝕劑）（E-beam resist）
電子束正膠：PMMA膠習慣，PMMA/MA聚合物充足， LIGA用膠等。
電子束負(fù)膠：高分辨率電子束負(fù)膠的積極性，化學(xué)放大膠（高靈敏度電子束膠）等綠色化發展。
3. 特殊工藝用膠（Special manufacture/experimental sample）
電子束曝光導(dǎo)電層，耐酸堿保護(hù)膠使命責任，全息光刻用膠效果，聚酰亞胺膠（耐高溫保護(hù)膠）等特殊工藝用膠。
4. 配套試劑（Process chemicals）
顯影液合規意識、除膠劑密度增加、稀釋劑、增附劑（粘附劑）創新內容、定影液等機遇與挑戰。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 光刻膠種類齊全，可以滿足多種工藝要求的用戶我有所應。
產(chǎn)品種類包含：各種厚度的紫外光刻膠（正膠或負(fù)膠）提單產，lift-off工藝用膠深入實施，LIGA用膠至關重要，圖形反轉(zhuǎn)膠發展空間，化學(xué)放大膠，耐刻蝕保護(hù)膠有所應，聚酰亞胺膠足了準備，全息曝光用膠，電子束光刻膠（包含PMMA膠著力提升、電子束負(fù)膠深刻內涵、三維曝光用膠（灰度曝光用膠）、混合曝光用膠等）
2. 光刻膠包裝規(guī)格靈活多樣融合，適合各種規(guī)模的生產(chǎn)深入闡釋、科研需求。
包裝規(guī)格包含：250毫升完成的事情、1升物聯與互聯、2.5升等常規(guī)包裝，還提供試驗(yàn)用小包裝改造層面，如30毫升供給、100毫升等。
3. 交貨時間短經驗分享。
我們每個月20號左右都會向德國廠商下訂單解決方案，產(chǎn)品將于第二個月中旬到貨，您可以根據(jù)實(shí)際情況有力扭轉，合理安排采購時間上高質量。具體的訂購情況，請聯(lián)系我們的銷售人員慢體驗。
4. 可以提供高水準(zhǔn)的技術(shù)咨詢服務(wù)高質量，具有為客戶開發(fā)、定制特殊復(fù)雜工藝用光刻產(chǎn)品的能力重要組成部分。
5. 儲存條件：
密閉儲存在容器中并置于避光流程、干燥陰涼、通風(fēng)良好之處勃勃生機。
儲存在適當(dāng)?shù)臏囟认轮Ω鳂I。詳情請?lián)系我們的銷售人員。
光刻膠理論
光刻膠定義
光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料提供有力支撐，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介應用。光刻膠的英文名為resist，又翻譯為抗蝕劑品率、光阻等相貫通。因?yàn)楣饪棠z的作用就是作為抗刻蝕層保護(hù)襯底表面。光刻膠只是一種形象的說法積極影響，因?yàn)楣饪棠z從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體自動化方案。
光刻膠通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面緊密協作。當(dāng)紫外光或電子束的照射時，光刻膠材料本身的特性會發(fā)生改變線上線下，經(jīng)過顯影液顯影后發揮重要作用，曝光的負(fù)性光刻膠或未曝光的正性光刻膠將會留在襯底表面，這樣就將設(shè)計(jì)的微納結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到了光刻膠上數據顯示，而后續(xù)的刻蝕高質量、沉積等工藝，就可進(jìn)一步將此圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠下面的襯底上記得牢，最后再使用除膠劑將光刻膠除去就可以了註入了新的力量。
光刻膠按其形成圖形的極性可以分為：正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。正膠指的是聚合物的長鏈分子因光照而截?cái)喑啥替湻肿痈嗫赡苄?；?fù)膠指的是聚合物的短鏈分子因光照而交鏈長鏈分子特點。 短鏈分子聚合物可以被顯影液溶解掉，因此正膠的曝光部分被去掉重要性，而負(fù)膠的曝光部分被保留又進了一步。
光刻膠一般由4部分組成：樹脂型聚合物（resin/polymer），溶劑（solvent）多元化服務體系，光活性物質(zhì)（photoactive compound新的力量，PAC），添加劑（Additive）便利性。 其中全面展示，樹脂型聚合物是光刻膠的主體，它使光刻膠具有耐刻蝕性能深刻認識；溶劑使光刻膠處于液體狀態(tài)核心技術，便于涂覆；光活性物質(zhì)是控制光刻膠對某一特定波長光/電子束/離子束/X射線等感光主動性，并發(fā)生相應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)創造性；添加劑是用以改變光刻膠的某些特性，如控制膠的光吸收率/溶解度等道路。
光刻膠的主要技術(shù)參數(shù)
1. 靈敏度（Sensitivity）
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標(biāo)規模設備。光刻膠的靈敏度越高，所需的曝光劑量越小指導。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2競爭力。
2．分辨率（resolution）
區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸（CD進一步完善，Critical Dimension）來衡量分辨率集聚。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個綜合指標(biāo)狀況。影響該指標(biāo)的因素通常有如下3個方面：
（1）曝光系統(tǒng)的分辨率機製性梗阻。
（2）光刻膠的對比度、膠厚同期、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形使命責任。
（3）前烘效果、曝光、顯影合規意識、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率密度增加。
3. 對比度（Contrast）
對比度指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。 對比度越好創新內容，越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比機遇與挑戰。
4. 粘滯性/黏度 （Viscosity）
衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。黏度通撤昭由?？梢允褂霉饪棠z中聚合物的固體含量來控制共創輝煌。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度進一步。
5. 抗蝕性（Anti-etching）
光刻膠必須保持它的粘附性大部分，在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性實際需求、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力解決方案。
6. 工藝寬容度（Process latitude）
光刻膠的的前后烘溫度、曝光工藝善謀新篇、顯影液濃度增產、顯影時間等都會對最后的光刻膠圖形產(chǎn)生影響。每一套工藝都有相應(yīng)的的工藝條件方法，當(dāng)實(shí)際工藝條件偏離值時要求光刻膠的性能變化盡量小行動力，即有較大的工藝寬容度。 這樣的光刻膠對工藝條件的控制就有一定的寬容性切實把製度。
特殊光刻膠介紹
1. 化學(xué)放大光刻膠（CAR統籌，Chemical Amplified Resist）
化學(xué)放大膠中含有一種叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物質(zhì)。在光刻膠曝光過程中協同控製，PAG分解振奮起來，首先產(chǎn)生少量的光酸。在曝光后與顯影前經(jīng)過適當(dāng)溫度的烘烤利用好，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）這些光酸分子又發(fā)連鎖反應(yīng)深入各系統，產(chǎn)生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻膠的曝光部分變成可溶（正膠）或不可溶（負(fù)膠）。 主要的化學(xué)反應(yīng)是在后烘過程中發(fā)生的作用，只需要較低的曝光能量來產(chǎn)生初始的光酸相互配合，因此化學(xué)放大膠通常有很高的靈敏度。
光刻膠推薦： AR-N 4340著力增加，AR-N 4400智能化，AR-N 7700等。
2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography）
灰度曝光可以產(chǎn)生曲面的光刻膠剖面處理，是制作三維浮雕結(jié)構(gòu)的光學(xué)曝光技術(shù)之一建設。灰度曝光的關(guān)鍵在于灰度掩膜板的制作助力各行、灰度光刻膠工藝與光刻膠浮雕圖形向襯底材料的轉(zhuǎn)移前來體驗。傳統(tǒng)掩膜板只有透光區(qū)和不透光區(qū)，而灰度掩膜板的透光率則是以灰度等級來表示的首要任務。實(shí)現(xiàn)灰度掩膜板的方法是改變掩膜的透光點(diǎn)密度綠色化。
灰度曝光用膠的特點(diǎn)：
光刻膠要有較大的黏度。
光刻膠要有比較低的對比度發展。
光刻膠的抗刻蝕比盡量和襯底材料的接近保持穩定。
光刻膠推薦：AR-N 7720
3. LIGA技術(shù)
由厚膠曝光形成深結(jié)構(gòu)的目的是進(jìn)行電鑄，使之轉(zhuǎn)化為金屬深結(jié)構(gòu)面向，因?yàn)橹挥薪饘俳Y(jié)構(gòu)才是為系統(tǒng)器件所需要的功能結(jié)構(gòu)不斷進步。這種技術(shù)又稱為LIGA技術(shù)。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)效率，即“光刻規模、電鍍、注塑復(fù)制”的縮寫講道理。
光刻膠推薦：AR-P 6510發展目標奮鬥，AR-N 4400， PMMA等
4. lift-off工藝
溶脫剝離法（lift-off）是微納加工中應(yīng)用到的的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)之一更多的合作機會。其基本原理是由光學(xué)或電子束曝光首先形成光刻膠的圖形延伸，在薄膜沉積之后將光刻膠用除膠劑等溶解清除，凡是沒有被光刻膠覆蓋的區(qū)域都留下了金屬薄膜服務好，實(shí)現(xiàn)了由光刻膠圖形向金屬薄膜圖形的轉(zhuǎn)移新趨勢。
光刻膠推薦: AR-P 5350，AR-P 5400共謀發展，AR-N 4240學習，AR-N 4340，AR-N 4400等
5. 電鍍法（electroplating）
電鍍法是轉(zhuǎn)移較厚的金屬結(jié)構(gòu)時使用到的一種轉(zhuǎn)移技術(shù)聽得懂。其過程一般為3個步驟：首先應用優勢，在襯底材料上制作一層金屬導(dǎo)電薄膜作為電鍍的起始襯底高質量發展，然后通過光刻或電子束曝光形成光刻膠或抗蝕劑掩膜； 第二步是將制作有光刻膠圖形的基片放在電鍍液中與被鍍金屬電極連接成電流通路高效節能，金屬電極在電解液作用下釋放金屬離子并在電場驅(qū)動下沉積到基片表面暴露的金屬層上影響力範圍； 最后，將光刻膠去除新創新即將到來，并腐蝕清除襯底表面其余的金屬膜邁出了重要的一步，便得到金屬微結(jié)構(gòu)圖形。
光刻膠推薦： AR-P 3200, AR-N 4400等
