PE-CVD解決方案與典型CVD反應(yīng)器相比，等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案創新能力，同時(shí)不會(huì)降低薄膜質(zhì)量新品技。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類似質(zhì)量的鍍膜求得平衡。PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)紮實做，其中能量轉(zhuǎn)移到氣體混合物中。

PE-CVD解決方案

與典型CVD反應(yīng)器相比至關重要，等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案提供深度撮合服務，同時(shí)不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積的發生，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類似質(zhì)量的鍍膜組成部分。

PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體)，其中能量轉(zhuǎn)移到氣體混合物中新的動力。這將氣體混合物轉(zhuǎn)化成反應(yīng)性自由基的過程中、離子、中性原子和分子廣泛關註，以及其他高活性物質(zhì)促進進步。在PE-CVD中發力，氣相和表面反應(yīng)受到等離子體性質(zhì)的強(qiáng)烈控制。代替熱活化迎來新的篇章，氣體混合物的電子碰撞電離驅(qū)動(dòng)氣相反應(yīng)共創美好，能夠在比常規(guī)CVD工藝低得多的溫度下進(jìn)行沉積。 對(duì)于PE-CVD空白區，沉積速率通常不是基片溫度的強(qiáng)函數(shù)協調機製，表面活化能通常很小。然而形勢，薄膜性質(zhì)實踐者，例如，組成服務機製、應(yīng)力和形態(tài)貢獻力量，通常是基片溫度的強(qiáng)函數(shù)。

等離子體增強(qiáng)CVD的優(yōu)點(diǎn)

PE-CVD鍍膜的一些理想性能包括大幅拓展，良好的粘附性發行速度、低針孔密度、良好的保形性與時俱進，以及平面和三維表面上的均勻性性能。 PE-CVD的實(shí)用性和靈活性在于，其能夠在從硅片到汽車部件的各種基材上沉積高質(zhì)量的鍍膜綜合運用。此外供給，等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)比常規(guī)CVD提供更低的擁有成本。

丹頓真空公司專門從事等離子增強(qiáng)CVD (PE-CVD)實事求是，沉積類金剛石(DLC)鍍膜進行探討。DLC鍍膜是一類無(wú)定形碳膜，表現(xiàn)出與金剛石相似的性能服務水平，例如最新，硬度、抗刮擦性和高導(dǎo)熱性處理方法。此外重要作用，DLC鍍膜由于其生物相容性、紅外透明性和電絕緣性能活動上，在商業(yè)方面價(jià)值有望。丹頓公司已經(jīng)開發(fā)專有的能力，擴(kuò)展DLC的特性范圍導向作用，包括抗指紋和疏水性方案。

我們的 Voyager PE-CVD解決方案提供低溫濺射，具有高度均勻性