一、功能介紹：
適用于半導(dǎo)體材料企業(yè)生產製造、科研開展試點、高等校及實(shí)驗(yàn)室分析半導(dǎo)體材料縱向電阻率；可測量橫截面積均勻的圓形共同、方形或矩形硅單晶的電阻率推進一步，試樣長度與截面尺寸之比應(yīng)不小于3:1；配置測量平臺簡單化，正反向電流測量模式力度；液晶顯示，并帶有溫度補(bǔ)償功能系統性，電阻率單位自動選擇勇探新路，可選購PC軟件實(shí)時數(shù)據(jù)和報(bào)表管理；提供中文或英文兩種語言操作界面選擇.
二.參照標(biāo)準(zhǔn)：
FT-300TZ兩探針電阻率測試儀
GB/T 1551-2009 硅單晶電阻率測定方法-方法2直流兩探針法傳遞；
SEMI MF 397-1106<<硅棒電阻率測定兩探針法>>
三試驗、參數(shù) 資料
1.電阻率：10^-7～2×10^7Ω-cm
2.電 阻：10^-7～2×10^7Ω
3.電導(dǎo)率：5×10^-7～10^7s/cm
4.分辨率： 0.1μΩ 測量誤差±（0.05%讀數(shù)±5字）
5.測量電壓量程： 2mV 20mV 200mV 2V 測量精度±（0.1%讀數(shù)）
6.分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
7.電流輸出：直流電流 0～1000mA 連續(xù)可調(diào)，
量程：1μA開展攻關合作，10μA製度保障，100µA，1mA的有效手段，10mA統籌推進，1000mA, 誤差：±0.2%讀數(shù)±2字
8.顯示方式：液晶顯示：電阻值、電阻率關鍵技術、電導(dǎo)率值了解情況、溫度、單位自動換算表現、橫截面運行好、高度、電流可能性更大、電壓等.
9.溫度要求：23℃±1℃
10.電源：220±10% 50HZ/60HZ
11. 測量平臺參數(shù)如下：
1）.可測硅芯部署安排、檢驗(yàn)棒尺寸：直徑4~22㎜ （其他規(guī)格可定制）
2）.探針頭探針與試樣接觸位置重復(fù)，無橫向移動技術。
3）.兩探針測試探針推廣開來。探頭間距1.59mm（其他規(guī)格可定制）推動；探針機(jī)械游率：±0.3%。
4）.探針直徑0.8㎜資源配置；探針壓力6-12N信息，探針材料：鎢針，
5）.探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐
12.標(biāo)配外選購項(xiàng)：a.pc軟件1套大力發展；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1件豐富內涵；c.電腦和打印機(jī)
FT-300TZ兩探針電阻率測試儀
