C封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應(yīng)講故事，會造成離子遷移不正常生長非常完善，而導(dǎo)致引腳之間發(fā)生短路現(xiàn)象，濕氣經(jīng)過封裝過程所造成的裂傷全面革新，將外部的離子污染帶到芯片表面作用，在經(jīng)過經(jīng)過表面的缺陷如：護層針孔、裂傷行業分類、被覆不良處..等發揮重要作用，進入半導(dǎo)體原件里面，造成腐蝕以及漏電流..等問題數據顯示，如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生高質量。

IC封裝體外引腳因濕氣引起之電離效應(yīng)，會造成離子遷移不正常生長記得牢，而導(dǎo)致引腳之間發(fā)生短路現(xiàn)象註入了新的力量，濕氣經(jīng)過封裝過程所造成的裂傷，將外部的離子污染帶到芯片表面更多可能性，在經(jīng)過經(jīng)過表面的缺陷如：護層針孔去創新、裂傷、被覆不良處..等緊迫性，進入半導(dǎo)體原件里面結構，造成腐蝕以及漏電流..等問題，如果有施加偏壓的話故障更容易發(fā)生高效。

PCT高壓加老化速壽命試驗機技術(shù)參數(shù)：

型號：RK-PCT-350

內(nèi)箱尺寸 （Φ*D）：300*450

外箱尺寸 （W*H*D）：650*1200*950

溫度范圍：110℃～147℃（飽和蒸汽溫度）

濕度范圍：100R.H（飽和蒸汽濕度）

壓力范圍：0.2～3.0kg/cm2（0.05~0.294MPa）

溫度波動度：≤±0.5℃

溫度均勻度：≤±0.5℃

加壓時間：約45min

解析度：溫度：0.01℃溝通協調，濕度：0.1R.H，壓力：0.1kg/cm2體系，電壓：0.01DCV

滿足標準：JESD22-A102保障性、IEC60068-2-66等規(guī)范要求