Hiden TOF-qSIMS 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀飛行時間二次離子質(zhì)譜工作站設計用于多種材料的表面分析和深度剖析應用高質量，包括聚合物相對簡便，藥物，超導體流程，半導體合作，合金，光學和功能涂層以及電介質(zhì)上高質量，檢測限低于1ppm一站式服務。
TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜。
四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析深入交流，低入射能力智能化，高入射電流，濺射和分析連續(xù)進行處理，是典型的Dynamic SIMS 動態(tài)SIMS建設。
飛行時間二次離子質(zhì)譜儀TOF-SIMS使用飛行時間質(zhì)譜，質(zhì)量數(shù)范圍寬助力各行，質(zhì)量分辨率高前來體驗，且測量速度快（瞬間得到全譜）。離子槍僅需要一次脈沖濺射確定性，即可得到全譜更加廣闊，對表面幾乎無破壞作用。因脈沖模式分析講故事，且電流小非常完善，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少性能穩定，靈敏度相比動態(tài)SIMS弱，但成像和表面分析能力強作用，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS情況正常。
TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點，可以分析所有的導體技術特點、半導體提高鍛煉、絕緣材料；對硅凝聚力量、高k有所提升、硅鍺以及III-V族化合物等復合材料的薄層提供超淺深度剖析、痕量元素和組分測量等一系列擴展功能新的力量。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布重要的作用，表面添加組分、雜質(zhì)組分去創新、表面多層結構/鍍膜成分、表面異物殘留（污染物緊迫性、顆粒物結構、腐蝕物等）、表面痕量摻雜高效、表面改性溝通協調、表面缺陷（劃痕、凸起）等有很好的表征能力全方位。
一臺SIMS同時提供四極桿質(zhì)譜和飛行時間質(zhì)譜
靜態(tài)SIMS Static SIMS
動態(tài)SIMS Dynamic SIMS
Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍
樣品 3D成像分析
檢測限低于ppm
SNMS 離子源高效節能，二次中性粒子譜
二次離子質(zhì)譜成像軟件，靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫大局，二次離子質(zhì)譜后處理軟件
