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離子濺射蒸碳儀

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濺射蒸發(fā)一體機(jī),用于形貌觀察前在不導(dǎo)電樣品(如高分子材料、無(wú)機(jī)非金屬材料等)表面噴鍍上一層金膜(鉑密度增加,銀有效性,鈀等)或者薄碳層,減少因電子束在樣品表面的積聚而產(chǎn)生的荷電效應(yīng)機遇與挑戰,使得形貌觀察更容易廣泛關註,提高成像質(zhì)量〖杉夹g?梢杂糜谥谱麟姌O觀察導(dǎo)電特性就能壓製。參數(shù):2儀器尺寸 :主機(jī) 300mm×360mm×380mm(W×D×H)蒸鍍 300mm×360mm×160mm(W×D×H)2真空樣品室: 硼硅酸鹽玻璃 160mm×110mm(D×H)2靶(上部電極):50mm×0.1mm(D×H)2濺射靶材:Au2濺射靶材大小:φ50mm2樣品臺(tái):50mm (D)2濺射工作電壓:0-1600V (DC)可調(diào)2濺射電流:0-50mA2濺射定時(shí):0-360S2蒸碳電流 0-100A(AC)2蒸發(fā)材料:碳纖維 2蒸發(fā)工作電壓:0-30V2蒸發(fā)時(shí)間:0-1S2微型真空氣閥:可連接φ3mm軟管2可通入氣體: 多種2真空泵: 2升機(jī)械旋轉(zhuǎn)泵(國(guó)產(chǎn)VRD-8)

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

   SD-900C 型離子濺射儀外觀亮麗做工精致發展空間,是北京博遠(yuǎn)微納科技有限公司針對(duì)SEM用戶研制生產(chǎn)的一款既能濺射金效果、銀、鉑又能蒸發(fā)碳膜的一機(jī)多用設(shè)備足了準備。
此款機(jī)器具有小巧方便操作簡(jiǎn)單成膜效果好之優(yōu)點(diǎn)合作關系,可以滿足廣大SEM用戶隨時(shí)樣品制備的需要。
   工作時(shí)結(jié)合內(nèi)部自動(dòng)控制電路很容易控制真空室壓強(qiáng)深刻內涵、電離電流及選擇所需的電離氣體傳遞,獲得鍍膜效果。
   配有高位定性的真空泵.

特點(diǎn):

1深入闡釋、簡(jiǎn)單相關性、經(jīng)濟(jì)、可靠物聯與互聯、外觀精美穩定。

2、可調(diào)節(jié)濺射電流和真空室壓強(qiáng)以控制鍍膜的速率和顆粒的大小供給。

3優勢與挑戰、SETPLASMA手動(dòng)啟動(dòng)按鈕可預(yù)先設(shè)置好壓強(qiáng)和濺射電流避免對(duì)膜造成不必要的損傷。

4深入各系統、真空保護(hù)可避免真空過(guò)低造成設(shè)備短路解決問題。

5、同時(shí)可以通過(guò)更換不同的靶材(金、鉑相互配合、銥慢體驗、銀等),以達(dá)到更細(xì)顆粒的涂層智能化。

6科技實力、通過(guò)通入不同的惰性氣體以達(dá)到更純凈的涂層。

7合作、獨(dú)立的濺射勃勃生機、蒸發(fā)上蓋和玻璃腔體防止交叉污染。

8極致用戶體驗、一體機(jī)更加經(jīng)濟(jì)實(shí)惠提供有力支撐。

9、碳纖維繩更加細(xì)膩均勻建議、快速品率,更有利于分析材料結(jié)構(gòu)。

10不斷發展、濺射蒸發(fā)功能轉(zhuǎn)換方便快捷積極影響。



電子束敏感的樣品:
主要包括生物樣品,塑料樣品等緊密協作。S EM中的電子束具有較高能量越來越重要,在與樣品的相互作用過(guò)程中,它以熱的形式將部分能量傳遞給樣品發揮重要作用。如果樣品是對(duì)電子束敏感的材料醒悟,那這種相互作用會(huì)破壞部分甚至整個(gè)樣品結(jié)構(gòu)。這種情況下高質量,用一種非電子束敏感材料制備的表面鍍層就可以起到保護(hù)層的作用也逐步提升,防止此類損傷;
非導(dǎo)電的樣品:
由于樣品不導(dǎo)電註入了新的力量,其表面帶有“電子陷阱”重要的作用,這種表面上的電子積累被稱為“充電”。為了消除荷電效應(yīng)去創新,可在樣品表面鍍一層金屬導(dǎo)電層反應能力,鍍層作為一個(gè)導(dǎo)電通道,將充電電子從材料表面轉(zhuǎn)移走學習,消除荷電效應(yīng)結構重塑。在掃描電鏡成像時(shí),濺射材料增加信噪比新的力量,從而獲得更好的成像質(zhì)量先進水平。
新材料:
非導(dǎo)電材料實(shí)驗(yàn)電極制作觀察導(dǎo)電特性。

一般來(lái)說(shuō)全面展示,用于掃描樣品時(shí)金屬的厚度為100-300?,采用經(jīng)驗(yàn)法測(cè)定厚度重要平臺,可由下面的公式得到

d = KIVT

其中: d:是鍍膜厚度(單位?)

K:是常數(shù),取決于濺射金屬和所充氣體(采用金靶和氬氣時(shí)K為0.17核心技術,金靶和空氣K為0.07)應用提升,此時(shí)靶與樣品之間的距離

I: 是等離子流(單位mA)

V:是所施電壓(單位kv)

T“”是時(shí)間(單位s)。

例如采用金靶和氬氣創造性,l為8mA,T為100秒發展的關鍵,V為1KV

則, d = KIVT = 0. 17×8×l×100 = 136?

即每秒1.36?

濺射速度依賴于濺射系統(tǒng)本身的清潔程度,因此保護(hù)工作室的清潔十分重要規模設備。

其它金屬靶的濺射速度真諦所在,例如鉑靶大約是金靶一半的速度,金一鉑靶則具有與金靶非常接近的濺射速度競爭力。




  





   


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