橢偏儀主要應用在薄膜科學相關(guān)的各行業(yè)新產品，用來測量薄膜（多層）的厚度去完善、粗糙度以及光學常數(shù)（如吸收系數(shù)、折射率等）　￠L遠所需。?） 半導體工業(yè)的各種薄膜和多層結(jié)構(gòu)求索。　∫幠?。?） 光電子工業(yè)的涂層　》€定發展。?） 數(shù)據(jù)存儲工業(yè)的磁膜　　（4） 平板顯示工業(yè)的 ITO薄膜和薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)　÷搫?。?） 生物和化學工業(yè)的各種有機層雙重提升，分子膜等

 DRE公司設計的基于誤差修正的步進馬達和MinSearch算法基礎上的高精度橢偏儀，測量更為簡單事關全面、快速表現明顯更佳，而且結(jié)果更為準確。樣品的Alignment非常簡單技術節能，只需調(diào)整樣品臺下方的旋鈕指導，改變 Light Angle和 Light Intensity，并借助四象限探測器在計算機屏幕上顯示的調(diào)整狀況國際要求，便可在不超過 30 秒鐘的時間內(nèi)完成流動性。無需經(jīng)常做儀器校準鍛造。由于使用高精度的 Step Motor，且無需使用Reference Sample經(jīng)常進行做儀器Calibration持續創新「纳?？蛇M行超薄膜（皮米級）的分析f調機製？蛇M行半導體Si Wafer 表面灰塵的分析信息化，這是目前所有橢偏儀廠商中*具備此項功能的一家。薄膜粗糙度 (Roughness) 的表征也是目前所有橢偏儀制造廠中*特色的一家實踐者∪〉妹黠@成效？蛇M行變溫（液氮至400ºC）測量祿?？焖?/SPAN>Mapping測量創新的技術。使用X-Y 樣品臺, 進行 1 秒/點的Mapping 或微秒/點的快速掃描★@著？煞治?/SPAN> 8" 甚至于 12" Si Wafer的厚度變化快速增長。可進行微區(qū)分析(激光焦斑的尺寸可達1微米)占。應用范圍非常廣泛：如Si襯底上的SiO2和SixNy薄膜穩步前行，光電子涂層，各種磁性薄膜動手能力，平板顯示工業(yè)的 ITO薄膜和薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)逐步改善，生物和化學工業(yè)的各種有機層、分子膜提升，光觸媒用TiO2 薄膜分析大大提高，鋁熱交換器表面抗氧化薄膜，奔馳汽車引擎或汽缸激光焊接前的清潔薄膜分析等再獲。同時產品和服務，提供多種光譜儀選擇，如回轉(zhuǎn)檢偏器橢偏儀（RAE）體驗區，高精度橢偏儀增多，消光型橢偏儀（Null Ellipsometer），光譜型橢偏儀（Spectroscopic Ellipsometer有望，190~2400 nm進一步推進，可選），超高精度傳動橢偏儀等方案。