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該P(yáng)ECVD可以升級(jí)到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻雙功能系統(tǒng)(帶ICP源)組建！
該PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備系統(tǒng)可以沉積高質(zhì)量SiO2薄膜表現、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜深刻變革、硬質(zhì)薄膜結論、光學(xué)薄膜等≠|生產力？蛇x用射頻(RF)適應性強、空陰*密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源推動。大沉積尺寸為8英寸相對較高。
等離子源：
5英寸或8英寸多噴頭平面中空陰離子源；
600瓦水冷信息；
Fractal monometer and carrier gas freed相關；
高密度等離子1013 ions/cc大力發展；
均勻性好，低污染綠色化；
應(yīng)用領(lǐng)域：
等離子誘導(dǎo)表面改性(Plasma Induced Surface Modifications)不同需求；
等離子清洗(NF3)；
等離子反應(yīng)離子蝕刻(Plasma Reactive Ion Etching)保持穩定；
等離子聚合(Plasma Polymerization)總之；
等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)；
SiO2, Si3N4, DLC及其它硬質(zhì)薄膜

PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備技術(shù)參數(shù)：

平板尺寸(Platen size) 8英寸
源直徑(Source diameter) 5英寸或8英寸
氣路數(shù)(No. of gas feeds) 4(2反應(yīng)氣支撐作用，1載氣研學體驗，1排氣)
源到平板距離(Source to platen distance) 2英寸或可以調(diào)節(jié)
zui高平板溫度(Max. platen temp.) 400℃
射頻電源(RF power supply source) 600瓦，13.5 MHz
射頻偏置(RF bias) 300瓦最為突出，13.5 MHz

計(jì)算機(jī)控制的高品質(zhì)沉積設(shè)備落實落細；
射頻花灑噴頭及等離子源；
大可沉積8英寸直徑的薄膜高效化；
RF偏置基底夾具製高點項目；
水冷平板(water cooled platen)；
一路載氣和兩路反應(yīng)氣通過(guò)流量計(jì)控制流量範圍和領域；
分子渦輪泵有所增加；
基本真空度10-7 Torr；
空氣控制閥

主要特點(diǎn)：

可升級(jí)到PECVD & 反應(yīng)離子蝕刻(Reactive Ion Etching,RIE)雙功能系統(tǒng)更高要求；
5英寸或8英寸等離子源越來越重要的位置；
電拋光不銹鋼腔體；
熱臺(tái)(heated platen)共同學習；
帶有5英寸視窗的門(mén)(晶片裝載及取出)順滑地配合；
裝載鎖(load lock)；
高度調(diào)整平板效高；
腐蝕泵包(corrosive pump package)前沿技術；
增加氣路，加熱氣路性能；
HMDS或加熱液體傳輸系統(tǒng)更默契了；
1kw射頻源；
脈沖直流電源培訓；
蘭繆爾探針(Langmuir probe)