我們提供了一套完整的金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD）廣泛關註，主要產(chǎn)品包括臺式研發(fā)型善於監督、中試型和生產(chǎn)型。其反應(yīng)器的設(shè)計可以根據(jù)工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產(chǎn)的需要就能壓製。我們也能為客戶設(shè)計以滿足客戶特殊工藝和應(yīng)用的需要更合理。系統(tǒng)部件包括：反應(yīng)器、氣體傳輸系統(tǒng)更優美、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)各方面。
金屬有機化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（MOCVD）應(yīng)用方向：氧化物、氮化物成效與經驗、碳化物著力提升、硫族（元素）化物、半導(dǎo)體等
提供適用不同材料研究需要的反應(yīng)器：
透明導(dǎo)體氧化物（TCO）應(yīng)用于LCD傳遞、太陽能電池融合、透明加熱器、電極相關性、LED完成的事情、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系統(tǒng)
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2穩定，PbMgO, CMO改造層面，Ta2O5等MOCVD系統(tǒng)
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應(yīng)用于柵極、介電層優勢與挑戰、鐵電經驗分享、高頻設(shè)備解決方案、鈍化、保護(hù)層等有力扭轉，包括：BST上高質量，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,廣度和深度，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系統(tǒng)
波導(dǎo), 光電, WDMs. MOEMS 等材料深入交流，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)
其他材料如：超導(dǎo)加強宣傳、氮化物臺上與臺下、氧化物、磁性材料技術發展、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN集聚效應，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...
半導(dǎo)體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…
超導(dǎo)材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...
金屬:Pt, Cu,...
巨磁阻材料...
熱涂層, 阻擋層, 機械涂層, 光學(xué)材料...
我們提供了從桌面型反應(yīng)器（針對研究和提高的需要）到自動化生產(chǎn)系統(tǒng)。出于材料變化種類的適應(yīng)性和經(jīng)濟(jì)價格的考慮自主研發，對任何研究人員來說桌面型反應(yīng)器是合適的選擇應用，而且也極容易升級為量產(chǎn)型。
科研型MOCVD設(shè)備品率，包含液體直接注入ALD工藝相貫通，同一腔室完成沉積和退火。
-更低的設(shè)備及使用成本積極影響、更少的前驅(qū)體源使用自動化方案、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質(zhì)越來越重要！
-非常適合高校及研究所科研使用線上線下！
儀器參數(shù)：
1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng)；
2/ 專為滿足科研單位需求而設(shè)計醒悟；
3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上數據顯示，以MOCVD方式，在固體也逐步提升、液體有機金屬基源上沉積氧化物記得牢、氮化物、金屬重要的作用、III-V 和 II-VI膜層更多可能性；
4/ MOCVD配有前驅(qū)體直接處理單元，可在大范圍內(nèi)使用MO源足夠的實力，用于外延材料的研發(fā)和制備緊迫性；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實現(xiàn)在線退火工藝；
性能及特點：
1更適合， 溫度范圍: 室溫至1200°C 高效；
2溝通協調， 帶質(zhì)量流量控制器的氣體混合性能；
3體系， 真空范圍: ~ 10-3 Torr保障性，可選配高真空；
4開拓創新， 選配手套箱持續發展；
5必然趨勢， 已被客戶廣泛接受
6主動性， 堅固耐用
7， 可靠性高
8發展的關鍵， 良好的可重復(fù)性
9道路， 經(jīng)濟(jì)適用
