原子層沉積系統(tǒng)（Atomic Layer Deposition System，ALD)
產(chǎn)地：美國
主要產(chǎn)品系列：
1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積)引人註目；
2.PEALD (等離子增強原子層沉積)領域；
3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積)；
儀器簡介：
原子層沉積（Atomic Layer Deposition好宣講，ALD）管理，也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE）雙向互動，或原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition效率和安，ALCVD）。
原子層沉積是在一個加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源品牌，化學(xué)吸附至表面飽和時自動終止深入開展，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附更為一致。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟：脈沖A，清洗A空間廣闊，脈沖B和清洗B至關重要。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件很好的工具服務品質。
原子層沉積系統(tǒng)的優(yōu)點包括：
1. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)精確控制薄膜的厚度的發生，從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜；
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附影響，保證生成大面積均勻性的薄膜新的動力；
3. 可生成*的三維保形性化學(xué)計量薄膜，作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層發展契機；
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物廣泛關註；
5. 薄膜生長可在低溫下進行（室溫到400度以下）；
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底發力；
7. 原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)優勢領先、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質(zhì)和MEMS器件共創美好，生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘推動並實現。
技術(shù)參數(shù)：
基片尺寸：6英寸、8英寸覆蓋範圍、12英寸優化程度；
加熱溫度：25℃—400℃（可選配更高）；
均勻性： < 2%奮勇向前；
前驅(qū)體數(shù)：4路（可選配6路）不斷豐富；
兼容性： 可兼容100級超凈室；
尺寸：950mm x 700mm組建；
ALD及PE-ALD技術(shù)各有優勢；
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括：
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；
2) 導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)帶動擴大；
3) 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)核心技術體系；
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；
5) 納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)性能；
6) 生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)初步建立；
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)供給；
9) 透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)的方法；
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器落到實處、光學(xué)涂層服務水平、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)技術創新；
目前可以沉積的材料包括：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
