PHI nanoTOF II飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀是超靈敏的表面分析技術(shù)可持續，可檢測表面分子成分和分布主要抓手，元素及其同位素。所有元素和同位素服務，包括氫都可以用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析提供了遵循。由初級(jí)脈沖離子束轟擊樣品表面所產(chǎn)生的二次離子，經(jīng)飛行時(shí)間分析器分析二次離子的荷質(zhì)比大型，從而得知樣品表面信息服務效率。

PHI nanoTOF II飛行時(shí)間質(zhì)譜儀™

PHI nanoTOF II飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀是超靈敏的表面分析技術(shù)，可檢測表面分子成分和分布重要意義，元素及其同位素統籌發展。所有元素和同位素，包括氫都可以用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜分析體系。由初級(jí)脈沖離子束轟擊樣品表面所產(chǎn)生的二次離子生產製造，經(jīng)飛行時(shí)間分析器分析二次離子的荷質(zhì)比，從而得知樣品表面信息攜手共進。

  PHI nanoTOF IITM是第五代SIMS儀器共同，PHI nanoTOF II飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀具有*的專屬飛行時(shí)間（TOF）分析儀，它擁有市場上TOF-SIMS儀器中大的角度和能量接收范圍經過，它使用了具有優(yōu)良離子傳輸能力的三級(jí)聚焦半球形靜電分析器簡單化，實(shí)現(xiàn)了高空間分辨率和質(zhì)量分辨率。PHI nanoTOF IITM還具有很高的成像能力明確了方向，可以表征形貌復(fù)雜的樣品而沒有陰影效應(yīng)系統性。

同時(shí)實(shí)現(xiàn)高空間及高能量分辨模式：nanoTOF Ⅱ安裝了新開發(fā)的離子槍（對(duì)應(yīng)的源為Bi勞動精神，Au開展攻關合作，Ga）製度保障，空間分辨率小能達(dá)到70納米（Bi3++）。此外的有效手段，在新設(shè)計(jì)的脈沖壓縮（Bunched）機(jī)理下進行部署，可采用高質(zhì)量分辨率模式，實(shí)現(xiàn)500納米或以下（Bi3++）的空間分辨率應用情況，其增加了三倍以上的電流密度保護好，同時(shí)提高了靈敏度，空間分辨率和質(zhì)量分辨率表現。

視野范圍小可至5微米：下圖顯示的是在較高的空間分辨率下運行好，PS/PMMA聚合物的成像。傳統(tǒng)上來說可能性更大，聚合物的分子分布結(jié)構(gòu)部署安排，只能用AFM觀察，但在這里技術，nanoTOF II也能做到推廣開來。

低背景和亞穩(wěn)抑制：nanoTOF II繼承了上一代的設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)，在TRIFT質(zhì)譜儀中添加了能量過濾器（Energy Slit）來實(shí)現(xiàn)對(duì)亞穩(wěn)態(tài)離子的抑制(Metastable Rejection) 相對較高，從而降低質(zhì)譜的背景噪音資源配置。比較Reflectron型和TRIFT型為基礎(chǔ)的質(zhì)譜儀，明顯地看到Reflectron型譜儀由于不具備亞穩(wěn)抑制功能相關，其得到圖譜背景噪音遠(yuǎn)高于TRIFT型的譜儀的背景噪音大力發展。

多種離子槍選配實(shí)現(xiàn)高精度深度剖析：nanoTOF Ⅱ的深度分析濺射的離子槍節點，既有適用于無機(jī)化合物的高靈敏度分析的銫離子槍（適用于負(fù)離子分析）和氧離子槍（適用于正離子分析）通過活化；也有適用于有機(jī)物薄膜深度剖析的C60離子槍槍和氬氣體團(tuán)簇（Ar-GCIB）離子槍，可在高的深度分辨率下的特點，實(shí)現(xiàn)高靈敏度的深度剖析健康發展。整個(gè)離子槍的應(yīng)用范圍如圖4e所示。

圖4-e）各種離子槍的應(yīng)用范圍

FIB-TOF三維深度分布成像：TRIFT分析儀的內(nèi)在特性和優(yōu)勢是可以通過對(duì)FIB銑削坑的垂直型墻直接成像而不必傾斜樣品最為突出。相對(duì)于使用傳統(tǒng)的濺射離子源方法,FIB使用已設(shè)置的加工程序?qū)悠愤M(jìn)行FIB銑削和切片落實落細，可獲得更深層亞表面特征或缺陷信息。此外,通過使用“切片和視圖”的方法可進(jìn)行TOF-SIMS 3D成像高效化，F(xiàn)IB槍用來對(duì)樣品進(jìn)行剖面加工而TOF-SIMS分析每一連續(xù)剖面加工層。使用這種方法得到 3D 成像可以大限度地減少或消除濺射離子束深度剖析帶來的潛在困難為產業發展。而其三維圖像重構(gòu)也可以非常簡單範圍和領域，因?yàn)闃悠吩贔IB加工和TOF-SIMS數(shù)據(jù)采集期間是不需要移動(dòng)的。

串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS （有機(jī)高分子材料分析*附件）：超過 m/z 200 的分子離子碎片,常規(guī)的TOF-SIMS的高質(zhì)量精度和高質(zhì)量分辨率不能對(duì)特征離子的元素/成分組成提供明確判定；也不能提供清楚的結(jié)構(gòu)信息,包括分子片段中不飽和鍵的位置更高要求。這對(duì)于研究高分子添加劑和生物組織剖面尤為重要越來越重要的位置。專屬技術(shù)的并行成像串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS選配可以同時(shí)獲得MS1和MS2質(zhì)譜圖,圖像和3D成像,空間分辨率為200nm。利用1.5keV碰撞誘導(dǎo)解離法,得到MS2數(shù)據(jù),可對(duì)分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行高效解析共同學習。

SmartSoft^TM-TOF配合WinCadence軟件易于操作：

nanoTOF II操作軟件采用智能化不要畏懼，如‘流’的設(shè)計(jì)，讓用戶按照流程順序問題，依次完成樣品裝載逐漸顯現，樣品定位，設(shè)定分析條件系統穩定性，開始圖譜采集拓展基地；并配合可視化的圖形界面，形象地展示儀器的各個(gè)部件實力增強，及儀器當(dāng)前的運(yùn)行狀況體系流動性，實(shí)時(shí)顯示儀器的參數(shù)。讓用戶一學(xué)就會(huì)帶來全新智能，一看就懂實現了超越。

多樣化的樣品托：

·         標(biāo)準(zhǔn)樣品托：有兩種100mm的正方形樣品托,分別用于前后裝樣。視應(yīng)用條件選擇樣品托去完善。

·         冷熱樣品托：可用于對(duì)樣品加熱冷卻的樣品托,不僅在進(jìn)樣室可加熱冷卻,在樣品臺(tái)移動(dòng)時(shí)也可使用相對開放。

·         真空轉(zhuǎn)移裝置：能夠在客戶的手套箱和設(shè)備的預(yù)抽室之間傳遞樣品,防止樣品與大氣接觸，適用于易于大氣反應(yīng)的樣品脫穎而出。

nanoTOF II儀器規(guī)格：

Bi作為一次離子源時(shí)：

· 低質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率（m/Δm）：硅（28Si+和28SiH+）在12000以上

· 高質(zhì)量數(shù)質(zhì)量分辨率（m/Δm）：m/z > 200拓展應用，在 16,000以上

· 有機(jī)材料的質(zhì)量分辨率（m/Δm）：PET（104 amu）在12000以上

· 小離子束直徑：70納米（高空間分辨率模式）、0.5μm（高質(zhì)量分辨率模式）

nanoTOF II選配:

串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS結構、氬氣團(tuán)簇離子槍管理、C60離子槍、銫離子槍能力建設、氬／氧離子濺射槍模樣、樣品冷卻/加熱系統(tǒng)、樣品高溫加熱系統(tǒng)服務、真空轉(zhuǎn)移裝置很重要、氧噴射系統(tǒng)、Zalar高速旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)覆蓋、聚焦離子束FIB（Focused Ion Beam）異常狀況、前處理室、各種樣品托高效、離線數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)應用創新、Static SIMS Library等提高。

·        應(yīng)用：材料領(lǐng)域：聚合物材料（纖維、塑料改善、橡膠空白區、紙張、樹脂涂料等）信息化、金屬合金形勢、半    導(dǎo)體、硅酸鹽陶瓷取得明顯成效、納米鍍層約定管轄、有機(jī)半導(dǎo)體OLED、OPV等設計。

·      研發(fā)領(lǐng)域：半導(dǎo)體器件業務指導、納米器件、生物醫(yī)藥就此掀開、量子結(jié)構(gòu)長足發展、能源電池材料等。

· OLED膜層結(jié)構(gòu)：有機(jī)膜層成分穩步前行、分布和結(jié)構(gòu)剖析結構不合理，高質(zhì)量離子碎片表征。

· 薄膜和涂料：分析有機(jī)涂層逐步改善，有機(jī)和無機(jī)涂料的成像分布意見征詢。

· 無機(jī)及半導(dǎo)體器件：晶圓工藝殘?jiān)铮毕莘治龃蟠筇岣?，蝕刻/清潔殘留分析的必然要求，晶圓工藝中微量    金屬污染物分析；摻雜元素的3D成像分析取得了一定進展。

· 磁存儲(chǔ)器件：介質(zhì)表面的殘留物完善好，來自于工藝的污染物，包括有機(jī)和無機(jī)物積極參與，失效分析問題分析，    潤滑分析。

· 藥物研究：藥物截面成像交流研討，新的藥物緩釋涂層的表征與發(fā)展更加完善。

· 生命科學(xué)領(lǐng)域：研究組織和細(xì)胞。