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PHI 710俄歇電子能譜儀

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PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺(tái)設(shè)計(jì)*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器更適合。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域高效,超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。作為高空間分辨率要素配置改革,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀體系,PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。

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       PHI公司的PHI 710俄歇電子能譜儀是一臺(tái)設(shè)計(jì)*的高性能的俄歇電子能譜(AES)儀器帶動產業發展。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域,超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息責任製。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀倍增效應,PHI 710俄歇電子能譜儀可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求規則製定。
 

  PHI710主要特點(diǎn)
 

  SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
 

  歇能譜的采集分析過(guò)程中,包括譜圖優化服務策略,深度剖析及元素分布像關規定,需要先在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域,必然要求束斑直徑小且穩(wěn)定明顯。PHI 710的SEM圖像的空間分辨率優(yōu)于3nm,AES的空間分辨率優(yōu)于8nm(@20kV,1nA)。
 

  關(guān)于鑄鐵韌性斷裂的界面分析顯示,左邊是SEM圖像創新為先,中間是鈣、鎂科普活動、鈦的俄歇成像創新延展,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級(jí)尺度下的化學(xué)態(tài)的分析能力長期間。
 

  同軸筒鏡分析器(CMA)
 

  PHI 公司電子槍和分析器同軸的幾何設(shè)計(jì)基本情況,具有靈敏度高和視線無(wú)遮攔的特點(diǎn),滿足了現(xiàn)實(shí)復(fù)雜樣品對(duì)俄歇分析全面表征能力的需求高端化。所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個(gè)方向收集而來(lái)力量,成像沒(méi)有陰影。
 

  俄歇能譜儀的化學(xué)態(tài)成像:
 

  圖譜成像
 

  高能量分辨率俄歇成分像
 

  納米級(jí)的薄膜分析
 

  SEM圖像中提單產,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷深入實施,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物發展空間。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設(shè)定了一個(gè)分析點(diǎn)效果,分析條件為高能量分辨率模式下(0.1%),電子束直徑20nm解決,離子槍采用0.5kV設(shè)定預期。在MultiPak軟件中,采取小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物,同樣區(qū)分金屬硅和硅化物結構≈匾淖饔??梢钥闯觯桄嚮衔飪H存在于界面處更優美,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在各方面。但是,在鎳涂層的缺陷處成效與經驗,發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物適應性。
 

  l PHI SmartSoft-AES用戶界面PHI SmartSoft是一個(gè)從用戶需求出發(fā)而設(shè)計(jì)的軟件。該軟件通過(guò)任務(wù)導(dǎo)向的方式指引用戶導(dǎo)入樣品稍有不慎,定義分析點(diǎn)重要作用,并設(shè)置分析條件,可以讓新手快速,方便地測(cè)試樣品最為顯著,并且用戶可以很方便的重復(fù)之前的測(cè)量尤為突出。
 

  PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件:MultiPak軟件擁有全面的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫(kù)。采譜分析環境,線掃描分析空間載體,成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來(lái)處理。軟件強(qiáng)大的功能包括譜峰的定位相對簡便,化學(xué)態(tài)信息及檢測(cè)限的提取重要組成部分,定量測(cè)試和圖像的增強(qiáng)等。
 

  l 選配件
 

  真空室內(nèi)原位樣品泊放臺(tái)合作;
 

  原位脆斷勃勃生機;
 

  真空傳送管;
 

  預(yù)抽室導(dǎo)航相機(jī)極致用戶體驗;
 

  電子能量色散探測(cè)器(EDS)提供有力支撐;
 

  電子背散射衍射探測(cè)器(EBSD);
 

  背散射電子探測(cè)器(BSE)建議;
 

  聚焦離子束(FIB)品率;
 

  l 應(yīng)用領(lǐng)域:
 

  •半導(dǎo)體器件:缺陷分析、蝕刻/清潔殘余物分析不斷發展、短路問(wèn)題分析技術發展、接觸污染物分析、界面擴(kuò)    散現(xiàn)象分析前來體驗、封裝問(wèn)題分析自主研發、FIB器件分析等。
 

  •顯示器組件:缺陷分析更加廣闊、蝕刻/清潔殘余物分析損耗、短路問(wèn)題分析講故事、接觸污染物分析、接口擴(kuò)    散現(xiàn)象分析等性能穩定。
 

  •磁性存儲(chǔ)器件:表面多層全面革新、表面元素、界面擴(kuò)散分析情況正常、孔洞缺陷分析行業分類、表面污染物分析、磁    頭缺陷分析提高鍛煉、殘余物分析等發展邏輯。


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