GEMStar XT臺(tái)式三維原子層沉積系統(tǒng)ALD是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法關註，是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法研究進展。因此，它是一種真正的“納米”技術(shù)連日來，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的超薄薄膜沉積快速融入。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性，因此可以確保對(duì)大面積系統、多空增強、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積交流等。

   美國ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng)更加廣闊，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積提高。GEMStar XT全系配備熱壁可以使用，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱紮實，橫向噴頭等設(shè)計(jì)效高化， 使溫度均勻性高達(dá)99.9%新體系，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在 8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%創造，而且更適合對(duì)超高長徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋不難發現，可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500：1長徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積。

GEMStar XT 產(chǎn)品特點(diǎn)：

* 300℃ 鋁合金熱壁設備製造，對(duì)流式溫度控制

* 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶發展需要，200℃溫控輸運(yùn)支管

* 可容納多片4，6信息化，8英寸樣品同時(shí)沉積

* 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體

* 標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口

* 可安裝原位測(cè)量或粉末沉積模塊等選件

* 等離子體輔助ALD插件

* 多種配件可供選擇

GEMStar XT 產(chǎn)品型號(hào)：

GEMStar -4 XT：

* 大4英寸/100 mm基片沉積

* 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管方式之一， 4路前驅(qū)體瓶接口

* 不可升級(jí)為等離子體增強(qiáng)ALD

GEMStar -6/8 XT：

* 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 可升級(jí)為等離子體增強(qiáng)ALD

GEMStar -8 XT-P：

* 大8英寸/200mm基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管新型儲能， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器

  13.56 MHz 的等離子源非常緊湊創新能力，只需風(fēng)冷，超高運(yùn)行功率達(dá)300W範圍。

* 標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)（MFC）控制的等離子氣源線求得平衡，和一條MFC控制的運(yùn)載氣體線，使難以沉積的氧化物引領作用、氮化物加強宣傳、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。

豐富配件：

多樣品托盤：

* 多樣品夾具用的舒心，樣品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容技術發展。

* 多基片夾具，多同時(shí)容納9片基片集成。

溫控?zé)?/strong>托盤：

* 可加熱樣品托盤重要手段，超高溫度500℃，可實(shí)現(xiàn)熱盤-熱壁復(fù)合加熱方式穩定性。

尾氣處理系統(tǒng)：

臭氧發(fā)生器：

粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊：

配合熱壁加熱方式像一棵樹，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對(duì)微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

手套箱接口：

可從側(cè)面或背面*接入手套箱去突破，與從底部接入手套箱不同能運用，不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面智能設備，反應(yīng)過程中不對(duì)手套箱有加熱效應(yīng)不可缺少，不影響手套箱內(nèi)溫度。