主要產(chǎn)品系列：
1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積)活動上；
2.PEALD (等離子增強(qiáng)原子層沉積)；
3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積)進一步推進；
等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)儀器簡(jiǎn)介：
原子層沉積（Atomic Layer Deposition導向作用，ALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy應用的選擇，ALE）十大行動，或原子層化學(xué)氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）創新延展。
原子層沉積是在一個(gè)加熱反應(yīng)的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅(qū)體源強化意識，化學(xué)吸附至表面飽和時(shí)自動(dòng)終止，適當(dāng)?shù)倪^程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附基本情況。一個(gè)基本的原子層沉積循環(huán)包括四個(gè)步驟：脈沖A現場，清洗A高端化，脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復(fù)直至獲得所需的薄膜厚度我有所應，是制作納米結(jié)構(gòu)從而形成納米器件的工具提單產。
ALD的優(yōu)點(diǎn)包括：
1. 可以通過控制反應(yīng)周期數(shù)精確控制薄膜的厚度，從而達(dá)到原子層厚度精度的薄膜至關重要；
2. 由于前驅(qū)體是飽和化學(xué)吸附發展空間，保證生成大面積均勻性的薄膜；
3. 可生成*的三維保形性化學(xué)計(jì)量薄膜有所應，作為臺(tái)階覆蓋和納米孔材料的涂層連日來；
4. 可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物；
5. 薄膜生長(zhǎng)可在低溫下進(jìn)行（室溫到400度以下）認為；
6. 可廣泛適用于各種形狀的襯底系統；
7. 原子層沉積生長(zhǎng)的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質(zhì)、電致發(fā)光顯示器絕緣體重要意義、電容器電介質(zhì)和MEMS器件交流等，生長(zhǎng)的金屬氮化物薄膜適合于擴(kuò)散勢(shì)壘。
等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)技術(shù)參數(shù)：
基片尺寸：4英寸規劃、6英寸提高、8英寸、12英寸進入當下；
加熱溫度：25℃—400℃（可選配更高）紮實；
均勻性： < 1%；
前驅(qū)體數(shù)：4路（可選配6路）新體系；
兼容性： 可兼容100級(jí)超凈室投入力度；
尺寸：950mm x 700mm；
ALD及PE-ALD技術(shù)不難發現；
原子層沉積ALD的應(yīng)用包括：
1) High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)貢獻法治；
2) 導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)；
3) 金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)發展需要；
4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)高質量；
5) 納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)；
6) 生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)重要組成部分；
7) ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)流程；
8) 壓電層 (ZnO, AlN, ZnS)；
9) 透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al, ITO);
10) 紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);
11) OLED鈍化層 (Al2O3);
12) 光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);
13) 防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)勃勃生機；
14) 電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);
15) 工藝層如蝕刻?hào)艡谥Ω鳂I、離子擴(kuò)散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);
16) 光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器廣度和深度、光學(xué)涂層深入交流、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);
17) 傳感器 (SnO2, Ta2O5);
18) 磨損潤(rùn)滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2)加強宣傳；
目前可以沉積的材料包括：
1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...
2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...
3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...
4） 金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...
5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ...
6） 復(fù)合結(jié)構(gòu)材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...
7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...
