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GDAT-A 高頻介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測試設(shè)備儀器

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高頻介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測試設(shè)備儀器 計算機自動修正技術(shù)和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至低多元化服務體系,治療 Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑規劃。
自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值擴大公共數據、諧振點頻率和電容的自動測量。

詳細(xì)信息 在線詢價

高頻介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測試設(shè)備儀器  技術(shù)指標(biāo):

 1.Q值測量

  a.Q值測量范圍:2~1023帶動擴大;

  b.Q值量程分檔:30核心技術體系、100、300持續發展、1000必然趨勢、自動換檔或手動換檔;

c.標(biāo)稱誤差

 

A(高頻)

C(工頻)

頻率范圍

25kHz~10MHz

100kHz~10MHz

固有誤差

≤5%±滿度值的2%

≤5%±滿度值的2%

工作誤差

≤7%±滿度值的2%

≤7%±滿度值的2%

頻率范圍

10MHz~60MHz

10MHz~160MHz

固有誤差

≤6%±滿度值的2%

≤6%±滿度值的2%

工作誤差

≤8%±滿度值的2%

≤8%±滿度值的2%

 

2擴大、高頻介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測試設(shè)備儀器 信號源頻率覆蓋范圍

頻率范圍

10kHz~50MHz

頻率分段

(虛擬)

10~99.9999kHz

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

10~60MHz     

 

 

3多樣性、電感測量:

a.測量范圍:14.5nH~8.14H。

b.分    檔:分七個量程新格局。

      0.1~1μH明顯,    1~10μH,    10~100μH顯示,  

      0.1~lmH創新為先,     1~10mH,     10~100mH科普活動,   100 mH~1H創新延展。

  • 電感:

線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           0.99mH

  6           1MHz     196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7        49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9         2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz,50MHz   233長期間,211    0.9       0.125μH

 

4基本情況、Q表正常工作條件

   a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃現場;

   b.相對濕度:<80%;

   c.電源:220V±22V力量,50Hz±2.5Hz不久前。

 

5、其他

   a.消耗功率:約25W提升行動;

   b.凈重:約7kg能力建設;

   c.外型尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280。

 

6研究進展、主要配置:

a.測試主機一臺無障礙;

b.電感9只;

c.夾具一 套

 

7快速融入、電橋測量靈敏度

 

    電橋在使用過程中善於監督,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準(zhǔn)確度就能壓製,希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平更合理。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量成正比更優美。

    在下面的計算公式中各方面,用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來成效與經驗。

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

 

         式中:U為測量電壓                     伏特(V)

 

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

 

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

 

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

 

          Cx被測試品電容值                    皮法(pF)

 

 

8適應性、輔橋的技術(shù)特性:

 

    工作電壓±12V,50Hz

 

    輸入阻抗>1012 W

 

    輸出阻抗>0.6 W

 

    放大倍數(shù)>0.99

 

    不失真跟蹤電壓  0~12V(有效值)

 

 

 

產(chǎn)品特點:

作為一代的通用稍有不慎、多用途重要作用、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz最為顯著。

 

1 雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描尤為突出、自動調(diào)諧搜索功能。

 

2 雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入環境。

 

3 雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧空間載體,數(shù)碼化電容調(diào)諧。

 

4 自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值優勢與挑戰、諧振點頻率和電容的自動測量經驗分享。

 

5 全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感趨勢、 Q 值有力扭轉、信號源頻率、諧振指針一站式服務。

 

6 DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真廣度和深度,頻率的高精確深入交流、幅度的高穩(wěn)定。

 

7 計算機自動修正技術(shù)和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至低加強宣傳,** Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑臺上與臺下。

 

 

 

影響介電性能的因素:
下 面分 別 討論頻率、溫度技術發展、濕度和電氣強度對介電性能的影響集聚效應。
1 頻率
因為 只 有 少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的自主研發。r和tans幾乎是恒定的確定性,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率損耗。
電 容率 和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生講故事,醉重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
2 溫度
損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個醉大值性能穩定,這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)全面革新。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)醉大值位置情況正常。
3 濕度
極 化 的 程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加行業分類,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大醒悟。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的.
注 :濕 度 的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)
4 電場強度
存在界面極化時數據顯示,自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加,其損耗指數(shù)醉大值的大小和位置也隨此而變也逐步提升。
在較高的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電註入了新的力量,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關(guān)

 

 變壓器電橋(電感比例臂電橋)
A. 2. 1 概述
這 種 電 橋的原理比西林電橋簡單重要的作用。其結(jié)構(gòu)原理見圖A.3 .
當(dāng) 電橋 平 衡時,復(fù)電抗Z去創新、和ZM之間的比值等于電壓矢量U 和U:間的比值足夠的實力。如果電壓矢量的比
值是已知的,便可從已知的Zx,推導(dǎo)出Zx結構。在理想電橋中比例U,/U :是一個系數(shù) K更適合,這樣 ZK- K ZH
實際上ZM的幅角直接給出ax
變壓 器 電 橋比西林電橋有很大的優(yōu)點,它允許將屏蔽和保護(hù)電極直接接地且不需要附加的輔助
橋臂溝通協調。
這 種 電橋 可在從工頻到數(shù)十MHz的頻率范圍內(nèi)使用要素配置改革。比西林電橋使用的頻率范圍寬。由于頻率
范圍的不同保障性,橋的具體結(jié)構(gòu)也不相同
A.2.2 低頻電橋
通 常是 一 個高壓電橋(更精密帶動產業發展,電壓U責任製,是高壓,U:是中壓)倍增效應,這種電橋的技術(shù)與變壓器的技術(shù)有關(guān)規則製定。
可 采 用 兩類電源:
l 電源 電壓直接加到一個繞組上,另一個繞組則起變壓器次級繞組的作用需求。
2) 將 電源加到初級繞組上(見圖A.3) 堅定不移,而電橋的兩個繞組是由兩個分開的次級線路組成或是由
一個 帶 有 中 間 抽 頭 能使獲得電壓U,和U 的次級繞組組成
與所 有 的 測量變壓器一樣,電橋存在誤差(矢量比U,/U :與其理論值之間的差) 這種誤差隨負(fù)載
而變化尤其是U 和U2之間的相位差更讓我明白了,它會直接影響tans的測量值指導。
因此 ,必 須對電橋進(jìn)行校正充分,這可以用一個無損耗電容CN(與在西林電橋中使用的相似)代替Z進一步完善、進(jìn)
行。如果C競爭力、與Cx的值相同.這實際上是替代法調整推進,測試前應(yīng)校正。但由于C機製性梗阻、很少是可調(diào)的機製,因此負(fù)載
的變化對Cx不再有效。電橋在恒定負(fù)載下工作是可能的集成應用,如圖A.4所示:當(dāng)測量CN時探討,用一個轉(zhuǎn)換開
關(guān)把CX接地,反之亦然高效流通。這時對于高壓繞組來說兩個負(fù)載的總和是恒定的調解製度。(嚴(yán)格地說,低壓邊也應(yīng)
該用一個相似的裝置功能,但由于連在低壓邊的負(fù)載很小應用的因素之一,盡管采用這樣處理很容易,但意義小預期。)
另外 敢於監督,若 用并聯(lián)在電壓IJ上的一個純電容C、校正時結構,承受電壓U2的測量阻抗ZM組成如下:
) 如 果 U:和U,是同相的(理想情況)重要的作用,則用一個純電容CM組成。
2) 如 果U:超前U,規模最大,則用一個電容C和一個電阻R組成
3) 如 果 Ue滯后于U,穩中求進,則電阻Ret,應(yīng)變成負(fù)的 這就是說,為了重新建立平衡必須在U,一邊并
人 一 個 電 阻 形 成 電流分量成效與經驗。其實并不存在適用于高壓的可調(diào)高電阻適應性,因此通常阻性電流分量
是用 一 個 輔 助 繞 組 來獲得的增產,這個輔助繞組提供一個與U,同相的低電壓U3(圖A.5 )
注 :不 可 在蛛 匕串接 一個電阻 因為如果將電阻接在電容器后面會破壞 C,測量極和保護(hù)極間的等電位;如果將
電 阻接 到 C、 前 面 的高壓導(dǎo)線上方法,則電阻(內(nèi))電流也將包括保護(hù)電路的電流行動力,這就可能無法校正
這些 論 述 同 樣 適 用 于 上 述 第二 種情況的電阻R} 但在低壓邊容易將三個電阻RR:和側(cè)以星形聯(lián)接來得到一個與電容并聯(lián)的可調(diào)高值電阻。

3 高頻電橋
上面 的 一 些敘述也同樣適用于高頻電橋切實把製度。但由于它不再是一個高壓電橋保供,因此承受電壓U,的臂
能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
還應(yīng) 指 出進行部署,帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置責任。其平衡與在次級繞組中對應(yīng)
的安匝數(shù)的補償相符
A.2.4 關(guān)于檢測器的說明
由于 測 量 臂的一端接地的,因此不必要使用對稱輸人的檢測器
A.3 并聯(lián)T型網(wǎng)絡(luò)
在 并 聯(lián) T型網(wǎng)絡(luò)橋路中保護好,從振蕩器經(jīng)過兩個 T形網(wǎng)絡(luò)流向檢測器的兩股電流在檢測器輸人處是大
小相等而方向相反的組建。在這個電路中,振蕩器和檢測器都能有一端接地;且在有些可能電路中試樣和用
于平衡的每一個可變元件也有一端接地特點。

北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司

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