高頻介電常數(shù)測(cè)試儀廠家 介質(zhì)損耗（dielectric loss ）指的是絕緣材料在電場(chǎng)作用下綠色化，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗發展。也叫介質(zhì)損失保持穩定，簡(jiǎn)稱介損。
高頻介電常數(shù)測(cè)試儀廠家 滿足標(biāo)準(zhǔn)：
GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻面向、音頻支撐作用、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30建設項目、100最為突出、300、1000相結合、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔高效化。
c．標(biāo)稱誤差
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％
工作誤差≤7％
頻率范圍10MHz～60MHz為產業發展；
固有誤差≤6％
工作誤差≤8％
2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
直接測(cè)量范圍
1～460pF 主電容調(diào)節(jié)范圍 準(zhǔn)確度 30～500pF 150pF以下±1.5pF範圍和領域； 150pF以上±1％
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz
5、電感：
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz各項要求，50MHz 233更高要求，211 0.9 0.125μH
6、雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描共謀發展、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能學習。
7結構重塑、雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。
8應用優勢、雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧高質量發展，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
9高效節能、自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值影響力範圍、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。
10新創新即將到來、全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容邁出了重要的一步、電感、 Q 值設施、信號(hào)源頻率需求、諧振指針。
11更優質、DDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真相對開放，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定脫穎而出。
12拓展應用、計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路優(yōu)化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至低，治療 Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑結構。
電橋測(cè)量靈敏度
電橋在使用過(guò)程中管理，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測(cè)量準(zhǔn)確度能力建設，
希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平模樣。通常情況下電橋靈敏度與測(cè)量電壓，標(biāo)準(zhǔn)電容量
成正比建立和完善。
在下面的計(jì)算公式中提供了遵循，用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平參與水平，在這
個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來(lái)大型。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中：Ｕ為測(cè)量電壓 伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Ｃｎ標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10 安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆（W）
Ｒ４橋臂R4電阻值3183 歐姆（W）
Ｃｘ被測(cè)試品電容值 皮法（ｐF）
主要特點(diǎn)：
空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)明確相關要求。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,重要意義。
安全措施
（1）高壓保護(hù)：試品短路、擊穿或高壓電流波動(dòng)深化涉外，能迅速切斷高壓輸出體系。
（2）CVT保護(hù)：設(shè)定自激電壓的過(guò)流點(diǎn)，一旦超出設(shè)置的電流值開展試點，儀器自動(dòng)退出測(cè)量攜手共進，不會(huì)損壞設(shè)備共同。
（3）接地檢測(cè)：儀器有接地檢測(cè)功能，未接地時(shí)不能升壓測(cè)量經過。
（4）防誤操作：具備防誤操作設(shè)計(jì)簡單化，能判別常見(jiàn)接線錯(cuò)誤，安全報(bào)警明確了方向。
（5）防“容升”：測(cè)量大容量試品時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng)系統性，儀器能自動(dòng)跟蹤輸出電壓，保持試驗(yàn)電壓恒定單產提升。
高頻西林電橋
這種電橋通常在中等的電壓下工作就此掀開，是比較靈活方便的一種電橋;通常電容 CN是可變的(在高壓電橋中電容 CN通常是固定的)，比較容易采用替代法今年。
由于不期望電容的影響隨頻率的增加而增加穩步前行，因此仍可有效使用屏蔽和瓦格納接地線路。
高頻電橋
由于它不再是一個(gè)高壓電橋動手能力，因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
還應(yīng)指出逐步顯現，帶有分開(kāi)的初級(jí)繞組的電橋允許電源和檢測(cè)器互換位置。其平衡與在次級(jí)繞組中對(duì)應(yīng)
的安匝數(shù)的補(bǔ)償相符.
電介質(zhì)的用途
電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:
用作電氣回路元件的支撐引領，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;
用作電容器介質(zhì)
原理：
基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表自動化裝置，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的成就，隨之帶來(lái)了頻率應用前景、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能有很大提升空間。該表具有先進(jìn)的人機(jī)界面，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值首次、電感L可能性更大、主調(diào)電容器C、測(cè)試頻率F搖籃、諧振趨勢(shì)指針等技術。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz，頻率精度高達(dá)1×10-6推動。國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來(lái)測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)相對較高，把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì)，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路信息，以獲取測(cè)試靈敏度相關。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征。
GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定豐富內涵、操作簡(jiǎn)便生產效率。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ，無(wú)須關(guān)注量程和換算適應性，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴面板上印制的輔助表格操作的落后狀況節點，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具通過活化。
小知識(shí)：
相對(duì)電容率 relativep ermittivity
εr
電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時(shí)，其電容 Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電容Co 之比:
Cx
εr = —— ----------（１）
Co
式 中 :
εr — 相對(duì)電容率;
CX — 充有絕緣材料時(shí)電容器的電極電容;
Co — 真空中電容器的電極電容的特點。
在標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下研學體驗，不含二氧化碳的于燥空氣的相對(duì)電容率εr等于1.00053。因此效高性，用這種電極構(gòu)形在空氣中的電容Ca來(lái)代替Co測(cè)量相對(duì)電容率εr時(shí)模式，也有足夠的精確度。
在 一 個(gè) 測(cè)量系統(tǒng)中提升，絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對(duì)電容率εr與真空電氣常數(shù)εo的乘積.
復(fù)相對(duì)電容率complex relative permittivi
εr 由相對(duì)電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的：
εr = ε'r － ｊε〃r ----------（３）
ε〃r ＝ εr ----------（４）
ε〃r ＝ εr ----------（５）
ε〃r
Tanδ = -- ----------（６）
ε'r
式中：
εr -------- 復(fù)相對(duì)電容率高品質；
ε〃r-------- 損耗指數(shù)；
ε'r支撐能力、εr -------- 相對(duì)電容率資源優勢；
溫度
損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)醉大值，這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)特征更加明顯。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的估算，這取決于在測(cè)量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)醉大值位置。
濕度
極 化 的 程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加的可能性，其結(jié)果使電容率不要畏懼、介質(zhì)損耗因數(shù)
和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的
注 :濕 度 的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)
