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SE206半橋硅傳感器芯片

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產(chǎn)品描述 SE206是半橋壓阻式傳感器芯片一站式服務,具有高達(dá)150的靈敏系數(shù)廣度和深度,是專門為低至幾十個(gè)微應(yīng)變的微小應(yīng)變測量而設(shè)計(jì)的

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產(chǎn)品描述

SE206是半橋壓阻式傳感器芯片,具有高達(dá)150 的靈敏系數(shù)引領作用,是專門為低至幾十個(gè)微應(yīng)變的微小應(yīng)變測量而設(shè)計(jì)的加強宣傳。其典型應(yīng)用是把兩個(gè) SE206 粘貼在由不銹鋼或陶瓷制成的圓形壓力膜片上,形成惠斯登電橋來測量壓力用的舒心。粘貼此傳感器芯片的典型方法是通過玻璃微熔工藝把芯片燒結(jié)在膜片上技術發展。

SE206 傳感器芯片的兩個(gè)壓阻式電阻相互串聯(lián),類似于 BCM的金屬箔應(yīng)變計(jì)GB(BL)的結(jié)構(gòu)集成。因此重要手段,該傳感器芯片還可用于測量力互動講,例如,通過把其粘合在反向彎曲梁上用來測量壓縮力或拉伸力研究與應用。

由于此傳感器芯片是基于MEMS 工藝制造而成飛躍,SE206傳感器芯片尺寸小 (1.5mm x 0.5mm)更高效,可實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)全面協議。

包裝前,每個(gè) SE206 傳感器芯片都經(jīng)過單獨(dú)測試并符合其規(guī)格具體而言。


技術(shù)參數(shù)

參數(shù)名稱

單位

技術(shù)指標(biāo)

注釋

測量應(yīng)變范圍

με

15~500


工作應(yīng)變

%fs

150

1

應(yīng)變極限

%fs

200

1

電阻值

4±1

兩個(gè)電阻間的阻值差 

%R

≤±1.5

靈敏系數(shù)(GF)


150

激勵(lì)

電壓

Vdc

5(典型值)工具,或 2,...10Vdc范圍內(nèi)的任何電壓值

電流

mA

1(典型值),或 0.5喜愛,...2.5mA范圍內(nèi)的任何電流值

零點(diǎn)輸出

mV/V

≤±15

非線性誤差(NL)

%fs

≤±0.5

2 & 3

遲滯性誤差(HY)

%fs

≤±0.2

重復(fù)性誤差(RP)

%fs

≤±0.2

長期穩(wěn)定性

%fs/年

≤±0.2

儲(chǔ)存溫度范圍

°C

-40~ +150

工作溫度范圍

°C

-40~ +150

橋阻溫漂系數(shù)

%R/°C

≤0.35

4

零點(diǎn)溫漂系數(shù)

%fso/°C

≤±0.5

5

靈敏度溫漂系數(shù)

%fso/°C

≤|-0.4|

5

零點(diǎn)熱遲滯

%fso/°C

≤±0.3


電氣接口


裸焊盤


尺寸

mm

1.6x0.5x0.01


測量的一般條件:溫度=25°C重要的角色,濕度=40%RH。

1. fs指應(yīng)變的滿量程向好態勢。

2. 在15~500με范圍內(nèi)的應(yīng)變條件下進(jìn)行測試平臺建設。

3. 根據(jù)終端基線計(jì)算(端終點(diǎn)法)。

4. 以25℃時(shí)的阻值為參考貢獻力量,根據(jù)計(jì)算-40°C到+150°C之間的電阻變化率使用,并按25°C時(shí)的電阻歸一化。

5. 以25℃時(shí)的輸出為參考發行速度,計(jì)算根據(jù)-40°C到+150°C之間的輸出變化率足夠的實力,并按25°C時(shí)的輸出歸一化,此時(shí)芯片沒有做溫度補(bǔ)償結構。


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