1.361 VSM1000-MICRO顯微式激光測振儀

      基于自混干涉技術的激光測振儀的構(gòu)造要比傳統(tǒng)的多普勒效應的激光測振儀簡單得多極致用戶體驗。從半導體二極管出來的激光打到反射或散射表面后廣度和深度，一小部分背反射或背散射的光再次進到激光腔體，然后產(chǎn)生干涉信號引領作用，從中可以得到被測表面法向方向的位移 加強宣傳。

      VSM1000-MICRO采用兩種激光。測量振動的激光是紅外（波長1310nm）用的舒心，不可見的技術發展。紅外和不可見激光對眼睛是的。另外一個紅色的指示激光是為不可見的紅外激光對中之用集成。為了不占滿攝像機重要手段，紅色指示激光的功率減到1mw，光斑大小為10um.激光測振儀被附在顯微鏡的特殊調(diào)節(jié)架上穩定性，邊通濾波鏡主要用以紅外激光和可見激光的反射像一棵樹，然后分別聚焦到測試目標上。濾波鏡能夠傳遞20%從測試表面上散射回來的光去突破，并且在CMOS攝像機的傳感器上聚焦能運用。為了能對中方便，顯微鏡裝在一個俯仰智能設備、傾斜和旋轉(zhuǎn)位移臺上不可缺少。顯微鏡激光測振儀測量測試表面的法向分量的振動。

性能指標：

測量范圍：13mm X 13mm

顯微鏡攝像機可見區(qū)域：2mm X 2mm

攝像機分辨率：1.4um

激光等級：2

頻率范圍：0-50KHZ  ( 加EXT選項可拓展到35MHZ)

位移分辨率：10 pm/sqrt(Hz) 

速度分辨率： 0.1 (μm/s)/sqrt(Hz)@1KHz特點，100 (μm/s)/sqrt(Hz)@ 2MHz

精度：1%

工作距離：

45.0 mm(5倍放大)積極回應，

30.8 mm (20倍放大) 

20.5 mm(50倍放大)  

光斑大小: 

20 μm(5倍放大)

8 μm(20倍放大)

< 4 μm (50倍放大)

量程大小：

2 mm(5倍放大)         

0.75mm(20倍放大)          

0.5 mm(50倍放大)

速度:± 1 m/s（0-50KHZ）,±10 m/s @1MHz ; ±40 m/s @3MHz

選型說明：

顯微式激光測振儀可以上單點的又進了一步，也可以做成二維掃描和三維的多種場景。

如  VSM1000-MICRO表示顯微式單點測振儀多元化服務體系。

VSM4000-MICRO-SCAN-2D表示顯微式二維掃描激光測振儀。

VSM4000-MICRO-SCAN-3D表示顯微式三維掃描激光測振儀擴大公共數據。

頻帶寬為：

標準產(chǎn)品：0-50KHZ,可拓展到3MHZ/10MHZ/35MHZ大幅拓展。

如：VSM4000-MICRO-SCAN-3D-EXT表示頻帶寬為3MHZ的顯微式三維掃描激光測振儀。

如果需要10MHZ和35MHZ足夠的實力，需把數(shù)據(jù)加載EXT后面。

VSM4000-MICRO-SCAN-3D-EXT35M表示頻帶寬為35MHZ的顯微式三維掃描激光測振儀結構。

主要應用：

   顯微式激光測振儀主要用于芯片/電力半導體器件/半導體薄膜/MEMS的零部件/電子器件和供電內(nèi)部連接件/MEMS加速度傳感器模子的振動模態(tài)及結(jié)構(gòu)優(yōu)化高效。如：硅片充足、IC、LCD、TFT穩步前行、PCB、MEMS激光加工線上線下、晶片測試空間載體、半導體材料、線束加工蝕刻十分落實、液晶電池蓋倍增效應、導線框架等產(chǎn)品的檢查觀察。