基于自混干涉技術的激光測振儀的構造要比傳統(tǒng)的多普勒效應的激光測振儀簡單得多提供了遵循。從半導體二極管出來的激光打到反射或散射表面后，一小部分背反射或背散射的光再次進到激光腔體大型，然后產(chǎn)生干涉信號服務效率，從中可以得到被測表面法向方向的位移 。
VSM1000-MICRO采用兩種激光重要意義。測量振動的激光是紅外（波長1310nm）統籌發展，不可見的。紅外和不可見激光對眼睛是的體系。另外一個紅色的指示激光是為不可見的紅外激光對中之用生產製造。為了不占滿攝像機，紅色指示激光的功率減到1mw攜手共進，光斑大小為10um.激光測振儀被附在顯微鏡的特殊調(diào)節(jié)架上共同，邊通濾波鏡主要用以紅外激光和可見激光的反射，然后分別聚焦到測試目標上。濾波鏡能夠傳遞20%從測試表面上散射回來的光簡單化，并且在CMOS攝像機的傳感器上聚焦提高。為了能對中方便，顯微鏡裝在一個俯仰的特性、傾斜和旋轉(zhuǎn)位移臺上交流。顯微鏡激光測振儀測量測試表面的法向分量的振動。
性能指標：
測量范圍：13mm X 13mm
顯微鏡攝像機可見區(qū)域：2mm X 2mm
攝像機分辨率：1.4um
激光等級：2
頻率范圍：0-50KHZ ( 加EXT選項可拓展到35MHZ)
位移分辨率：10 pm/sqrt(Hz)
速度分辨率： 0.1 (μm/s)/sqrt(Hz)@1KHz提供堅實支撐，100 (μm/s)/sqrt(Hz)@ 2MHz
精度：1%
工作距離：
45.0 mm(5倍放大)還不大，
30.8 mm (20倍放大)
20.5 mm(50倍放大)
光斑大小:
20 μm(5倍放大)
8 μm(20倍放大)
< 4 μm (50倍放大)
量程大小：
2 mm(5倍放大)
0.75mm(20倍放大)
0.5 mm(50倍放大)
速度:± 1 m/s（0-50KHZ）,±10 m/s @1MHz ; ±40 m/s @3MHz
選型說明：
顯微式激光測振儀可以上單點的信息化技術，也可以做成二維掃描和三維的發揮作用。
如 VSM1000-MICRO表示顯微式單點測振儀。
VSM4000-MICRO-SCAN-2D表示顯微式二維掃描激光測振儀逐步顯現。
VSM4000-MICRO-SCAN-3D表示顯微式三維掃描激光測振儀銘記囑托。
頻帶寬為：
標準產(chǎn)品：0-50KHZ,可拓展到3MHZ/10MHZ/35MHZ。
如：VSM4000-MICRO-SCAN-3D-EXT表示頻帶寬為3MHZ的顯微式三維掃描激光測振儀自動化裝置。
如果需要10MHZ和35MHZ示範，需把數(shù)據(jù)加載EXT后面。
VSM4000-MICRO-SCAN-3D-EXT35M表示頻帶寬為35MHZ的顯微式三維掃描激光測振儀有很大提升空間。
主要應用：
顯微式激光測振儀主要用于芯片/電力半導體器件/半導體薄膜/MEMS的零部件/電子器件和供電內(nèi)部連接件/MEMS加速度傳感器模子的振動模態(tài)及結(jié)構優(yōu)化運行好。如：硅片、IC可能性更大、LCD部署安排、TFT、PCB技術、MEMS激光加工推廣開來、晶片測試、半導體材料相對較高、線束加工蝕刻資源配置、液晶電池蓋、導線框架等產(chǎn)品的檢查觀察姿勢。
