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SiPM單光子探測器

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SiPM探測器硅光電倍增管(Siliconphotomultiplier,簡稱SiPM)關註,是一種新型的光電探測器件研究進展,由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成無障礙,SiPM單光子探測器具有增益高、靈敏度高快速融入、偏置電壓低認為、對磁場不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點

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SiPM探測器


硅光電倍增管(Silicon photomultiplier增強,簡稱SiPM)重要意義,是一種新型的光電探測器件,由工作在蓋革模式的雪崩二極管陣列組成置之不顧,SiPM單光子探測器具有增益高不斷完善、靈敏度高數字化、偏置電壓低方便、對磁場不敏感、結(jié)構(gòu)緊湊等特點各領域。SiPM單光子探測器發(fā)明于二十世紀九十年代末應用領域,廣泛應(yīng)用于高能物理及核醫(yī)學(xué)(PET)等領(lǐng)域,代表著未來極微弱光探測器的發(fā)展方向進行培訓。




SiPM單光子探測器主要參數(shù):

有效面積3mmX3mm
像元尺寸15um
微孔數(shù)量38800
探測效率31% @ 430nm,   ctrl=0.7V
暗計數(shù)率125kHz/mm3
串?dāng)_幾率18%
殘留脈沖幾率5%
恢復(fù)時間15ns
跨阻增益150V/A
輸出帶寬12.5MHz
偏置電壓0-1V
輸入電壓5VDC
功耗350mW (typ.)
外觀尺寸40mm×50mm×19.8mm
工作溫度0-60oC


SiPM單光子探測器應(yīng)用圖例:

               

                      流式細胞應(yīng)用                                                                     PMT和SiPM雙光子成像對比



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