產(chǎn)品用途：此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜逐漸完善、陶瓷基片導(dǎo)電率測試參與能力、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)真空淬火退火是目前主流，快速降溫等工藝實驗充分發揮。

產(chǎn)品用途：

此款CVD系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜充分發揮、陶瓷基片導(dǎo)電率測試選擇適用、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控

生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)真空淬火退火設計，快速降溫等工藝實驗業務指導。

產(chǎn)品組成：

CVD系統(tǒng)配置：

1.1200度開啟式真空管式爐（可選配多溫區(qū)）改進措施。

2.滑動系統(tǒng)分為手動、電動滑動還不大，并配有風(fēng)冷系統(tǒng)高產。

3.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

4.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）    

產(chǎn)品特點：

1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高發揮作用，熱慣性小數據，溫度不過沖，性能可靠發揮，操作簡單顯著。

2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司*的知識產(chǎn)權(quán)設(shè)計,提高操作便捷性。

3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動控制功能開放以來，高真空系統(tǒng)采用高壓強占，耐沖擊分子泵，防止意外漏氣造成分子泵損壞提供了有力支撐，延長系統(tǒng)使用壽命激發創作。

4 (電動)滑動系統(tǒng)采用溫度控制器自動控制爐體移動，等程序完成進一步意見，爐體按設(shè)定的速度滑動增幅最大，因有滑動限位功能爐體不會發(fā)生碰撞，待樣品露出爐體后生產能力，通過風(fēng)冷系統(tǒng)快速降溫標準。