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硅光電倍增管(SiPM)

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硅光電倍增管(SiPM)

具有單光子靈敏度的創(chuàng)新型固態(tài)硅探測(cè)器,是光電倍增管的有效替代品之一註入了新的力量,優(yōu)勢(shì)在于其高增益特性重要的作用、響應(yīng)速度快和低工作電壓,還具有對(duì)磁場(chǎng)不敏感和集成度高等特點(diǎn)去創新。芯片級(jí)封裝(CSP)采用無邊框硅光電倍增管沖模反應能力,提供經(jīng)濟(jì)高效的解決方案,以此大限度地?cái)U(kuò)大活躍區(qū)面積學習。

典型應(yīng)用領(lǐng)域包括高能物理結構重塑、醫(yī)學(xué)影像學(xué)、核醫(yī)學(xué)應用優勢、國(guó)土安全及分析儀器等高質量發展。

特性:
● 出色的單光子探測(cè)靈敏度
● 光檢測(cè)工作距離長(zhǎng)(響應(yīng)波長(zhǎng):350至900nm)
● 暗計(jì)數(shù)率 <100/<200 kHz/mm2
● 擊穿電壓一致性
● 良好的溫度穩(wěn)定性
● 高增益 (106)
● 定時(shí)性能好
● 對(duì)磁場(chǎng)不敏感
● 即使直接曝光在環(huán)境背景光下也不會(huì)損壞探測(cè)器
● 芯片級(jí)封裝(CSP)符合RoHS要求


近紫外線(NUV)硅光電倍增管

芯片封裝

有效面積(mm)

像素尺寸(µm)

像素

填充因子

暗計(jì)數(shù)率(kHz/mm2)

光子探測(cè)效率 (%)

增益

SMD

1x1

40x40

625

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

1.2

40x40

673

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

3x3

40x40

5520

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

4x4

40x40

9340

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV


紅綠藍(lán)3通道(RGB)硅光電倍增管

芯片封裝

有效面積(mm)

像素尺寸(µm)

像素

填充因子

暗計(jì)數(shù)率(kHz/mm2)

光子探測(cè)效率(%)

增益

SMD

1x1

40x40

625

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

1.2

40x40

673

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

3x3

40x40

5520

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

4x4

40x40

9340

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV



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