產(chǎn)品信息
特點
頭部集成了薄膜厚度測量所需功能
通過顯微光譜法測量高精度反射率（多層膜厚度全會精神，光學(xué)常數(shù)）
1點1秒高速測量
顯微分光下廣范圍的光學(xué)系統(tǒng)（紫外至近紅外）
區(qū)域傳感器的安全機制
易于分析向?qū)В鯇W(xué)者也能夠進行光學(xué)常數(shù)分析
獨立測量頭對應(yīng)各種inline客制化需求
支持各種自定義
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 |
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| 波長范圍 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
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| 膜厚范圍 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
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| 測定時間 | 1秒 / 1點 |
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| 光斑大小 | 10μm (小約5μm) |
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| 感光元件 | CCD | InGaAs |
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| 光源規(guī)格 | 氘燈+鹵素?zé)? | 鹵素?zé)?/span> |
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| 電源規(guī)格 | AC100V±10V 750VA（自動樣品臺規(guī)格） |
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| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自動樣品臺規(guī)格之主體部分) |
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| 重量 | 約 55kg（自動樣品臺規(guī)格之主體部分） |
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測量項目：
反射率測量
多層膜解析
光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率拓展基地，k：消光系數(shù)）
測量示例：
SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量
半導(dǎo)體晶體管通過控制電流的導(dǎo)通狀態(tài)來發(fā)送信號集中展示，但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管體系流動性，埋入絕緣膜探索創新。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜實現了超越，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜新產品，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除相對開放。 為了絕緣膜的性能和精確的工藝控制推進高水平，有必要測量這些膜厚度。
彩色抗蝕劑（RGB）的薄膜厚度測量[FE - 0003]
液晶顯示器的結(jié)構(gòu)通常如右圖所示拓展應用。 CF在一個像素中具有RGB生產創效，并且它是非常精細的微小圖案。 在CF膜形成方法中管理，主流是采用應(yīng)用在玻璃的整個表面上涂覆基于顏料的彩色抗蝕劑優化上下，通過光刻對其進行曝光和顯影，并且在每個RGB處僅留下圖案化的部分的工藝模樣。 在這種情況下事關全面，如果彩色抗蝕劑的厚度不恒定，將導(dǎo)致圖案變形和作為濾色器導(dǎo)致顏色變化狀態，因此管理膜厚度值很重要技術節能。
硬涂層膜厚度的測量[FE-0004]
近年來指導，使用具有各種功能的高性能薄膜的產(chǎn)品被廣泛使用，并且根據(jù)應(yīng)用不同國際要求，還需要提供具有諸如摩擦阻力流動性，抗沖擊性，耐熱性競爭激烈，薄膜表面的耐化學(xué)性等性能的保護薄膜持續創新。通常保護膜層是使用形成的硬涂層（HC）膜，但是根據(jù)HC膜的厚度不同空白區，可能出現(xiàn)不起保護膜的作用協調機製，膜中發(fā)生翹曲，或者外觀不均勻和變形等不良形勢。 因此實踐者，管理HC層的膜厚值很有必要。
考慮到表面粗糙度測量的膜厚值[FE-0007]
當樣品表面存在粗糙度（粗糙度）時約定管轄，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”管理，可以分析粗糙度和膜厚度。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況業務指導。
使用超晶格模型測量干涉濾波器[FE-0009]
當樣品表面存在粗糙度（粗糙度）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”就此掀開，可以分析粗糙度和膜厚度長足發展。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。
使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE - 0010]
有機EL材料易受氧氣和水分的影響穩步前行，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞結構不合理。 因此，在成膜后需立即用玻璃密封逐步改善。 此處展示了密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況意見征詢。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。
使用多點相同分析測量未知的超薄nk [FE-0013]
為了通過擬合小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk大大提高。 如果nk未知的必然要求，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。 然而取得了一定進展，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下應用擴展，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d增多。 在這種情況下活動上，測量不同d的多個樣本，假設(shè)nk是相同的進一步推進，并進行同時分析（多點相同分析）導向作用， 則可以高精度方案、精確地求出nk和d。
用界面系數(shù)測量基板的薄膜厚度[FE-0015]
如果基板表面非鏡面且粗糙度大十大行動，則由于散射左右，測量光降低且測量的反射率低于實際值。而通過使用界面系數(shù)特性，因為考慮到了基板表面上的反射率的降低傳承，可以測量出基板上薄膜的膜厚度值。 作為示例建言直達，展示測量發(fā)絲成品鋁基板上的樹脂膜的膜厚度的例子多種。
各種用途的DLC涂層厚度的測量
DLC（類金剛石碳）是無定形碳基材料。 由于其高硬度充分發揮、低摩擦系數(shù)發展成就、耐磨性、電絕緣性重要方式、高阻隔性開展面對面、表面改性以及與其他材料的親和性等特征，被廣泛用于各種用途非常重要。 近年來進一步提升，根據(jù)各種不同的應(yīng)用，膜厚度測量的需求也在增加營造一處。
一般做法是通過使用電子顯微鏡觀察準備的監(jiān)測樣品橫截面來進行破壞性的DLC厚度測量改革創新。而大塚電子采用的光干涉型膜厚計，則可以非破壞性地和高速地進行測量取得顯著成效。通過改變測量波長范圍新模式，還可以測量從極薄膜到超厚膜的廣范圍的膜厚度。
通過采用我們自己的顯微鏡光學(xué)系統(tǒng)不容忽視，不僅可以測量監(jiān)測樣品組織了，還可以測量有形狀的樣品。 此外進入當下，監(jiān)視器一邊確認檢查測量位置一邊進行測量的方式紮實，還可以用于分析異常原因。
支持定制的傾斜/旋轉(zhuǎn)平臺保持競爭優勢，可對應(yīng)各種形狀進行培訓。可以測量實際樣本的任意多處位置長效機製。
光學(xué)干涉膜厚度系統(tǒng)的薄弱點是在不知道材料的光學(xué)常數(shù)（nk）的情況下法治力量，無法進行精確的膜厚度測量，對此大塚電子通過使用*的分析方法來確認：多點分析。通過同時分析事先準備的厚度不同的樣品即可測量共享。與傳統(tǒng)測量方法相比信息化，可以獲得*精度的nk。
通過NIST（美國國家標準與技術(shù)研究院）認證的標準樣品進行校準生動，保證了可追溯性新型儲能。
