SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長 1 個 15 x 15 mm2單層石墨烯樣品先進水平。

SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長 1 個 15 x 15 mm2單層石墨烯樣品更多可能性。

    SiC基單層石墨烯電極是由碳（C）原子組成的晶體平面，sp2鍵在蜂窩晶格中結(jié)合足夠的實力，其中碳與三個平面內(nèi)鍵結(jié)合緊迫性，而第四個在垂直方向上是不飽和鍵。這種晶體結(jié)構(gòu)負責石墨烯的*特性結構重塑。在本產(chǎn)品中聽得懂，石墨烯在Si端接SiC基板上形成。*形成的碳層稱為界面層或緩沖層高質量發展，它是絕緣的全方位，因為它的碳原子有三分之一與SiC基板共價結(jié)合。外延石墨烯是指在界面層之上形成的碳層影響力範圍，具有隔離單層石墨烯典型的線性分散大局。

    本產(chǎn)品為極耐用電極，適合多種使用邁出了重要的一步。如果涂覆了涂層有序推進，無論采用何種沉積技術(shù)，都可以通過強酸或堿溶液（取決于涂層性質(zhì)）去除涂層需求，而不會影響石墨烯層堅定不移。請注意，如果應(yīng)用的電勢高于 +2V更讓我明白了，SiC 上的單層石墨烯可能會以電化學方式降解迎難而上。

規(guī)范
覆蓋率： 100%
厚度變化：< 10%="" of="" bi-layer="">
電導率類型：n型
薄板載體密度：2 x 1012 × 5 x 1012厘米-2
移動性： 1500 - 2200 厘米2/V
基板類型：4H-SIC HPSI
基板厚度：0.5 毫米
基板長度： 15 毫米
基板寬度：15 毫米
基板方向：軸上
基板電阻率范圍：± 1 x 105 °cm
基板微管密度（MPD）：標準
基板精加工：雙面拋光 Si 面 CMP