PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針是PHI掃描XPS微探針設備全新產(chǎn)品,應用了PHI業(yè)界*的專屬掃描X-射線技術和專屬雙束中和技術特點，成為更高水平的多功能分析儀器積極回應。

 PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針是PHI掃描XPS微探針設備全新產(chǎn)品,應用了PHI業(yè)界*的專屬掃描X-射線技術和專屬雙束中和技術，成為更高水平的多功能分析儀器又進了一步。

 PHI 5000 Versaprobe多功能型掃描XPS微探針全新技術：

• 新的分析器輸入透鏡,將靈敏度提高了兩到三倍。
• 新的多通道探測器使得元素和化學態(tài)成像速度更快多元化服務體系。
• 新的變角分析技術（ADXPS）收集角可達+/-5°,改善深度分辨率規劃。
• 冷熱樣品臺的溫度范圍得到提高,-140℃到+600℃。
• 新的加熱樣品托可加熱至800℃深度。
• 新的四點電觸式冷熱樣品臺可對樣品進行原位通電和加熱冷卻實驗帶動擴大。
• 新設計的紫外光電子能譜UPS可自動點火和輸送氣體核心技術體系。
• 經(jīng)過改善的俄歇SAM技術提供了更高的靈敏度和更好的信噪比，可同時進行REELS分析持續發展。

原位低能反光電子能譜 (LEIPS) 可在較低電子能量下（對材料無損傷）測試樣品的導帶信息必然趨勢。

PHI5000 Versaprobe III主要特征和功能：

1. 微聚焦的掃描X射線束可應對從微區(qū)到大面積的分析需求。
2. 高可靠全自動分析能力,可實現(xiàn)無人值守式隊列分析擴大。
3. 微區(qū)成像和圖譜采集,可同時高效對多個微區(qū)進行對比分析多樣性。
4. 濺射深度剖析,可分析膜層結構和成分深度變化。
5. 多種技術聯(lián)用的超高真空分析腔室,可擴展UPS規模設備、IPES真諦所在、AES、C60競爭力、GCIB等多種技術充分。
6. 智能用戶操作界面（SmartSoft-VersaProbe）。
7. 數(shù)據(jù)處理軟件(MultiPak)集聚。

   微聚焦的掃描X射線源

  掃描聚集X-射線技術是Versaprobe III的核心技術,也是PHI公司的*技術競爭力。單色、掃描狀況、聚      集X-射線源可以更好地分析微觀及宏觀區(qū)域,全部的X射線設定（包括束斑直徑小于10μm的設定）    都能用于采譜分析,深度剖析和影像分析兩個角度入手。具體表現(xiàn)如下：

• 微聚焦的掃描X射線束。
• X射線束用于二次電子成像同期。
• XPS成分影像的每個像素點都可用于化學分析生產效率。
• 單點或多點采譜分析。
• 單點或多點薄膜分析效果。

• 分析
• 1. 鼠標點擊定義分析區(qū)域使用。
  2. 強大的Z軸自動校準功能。
  3. 一鍵雙束中和功能密度增加。
  4. 在自動分析隊列中,無須樣品導電性有效性。

• ：一鍵中和

XPS可以分析所有固體材料表面的成分和化學態(tài),包括導體、半導體和絕緣材料,但對絕緣體分析時需   要進行電荷補償機遇與挑戰。VersaProbeIII采用低能電子束和離子束雙束源同時對樣品表面進行電荷補償,該   技術只需一鍵開啟,實現(xiàn)從導體到絕緣體的自動分析廣泛關註。

 定位功能更加容易實現(xiàn)：

  SmartSoft將實時的數(shù)據(jù)（如導航圖、SXI集成技術、在線CCD）和測得的數(shù)據(jù)（如圖譜就能壓製、深度剖析和化學       態(tài)分布像）在同一個界面上顯示,只需在導航圖上一個位置,樣品臺就會移動到該位置。另       外,通過AutoZ和SXI,可更加精確的定位所要分析的位置適應能力。一鍵中和和自動高度聚焦（AutoZ）功       能保證了自動分析的精確性,提高了分析效率,分析結果重復性很高更優美。

深度剖析的優(yōu)勢：

優(yōu)化結構設計；

微聚焦X射線束防控；

靈敏度更高的分析器成效與經驗；

高效的離子槍適應性；

*的雙束中和功能；

帶Zalar Rotation™功能的樣品臺稍有不慎；

微區(qū)的深度剖析功能方法；

多點的深度剖析功能。

1提供有力支撐、無機物深度剖析：離子槍的工作電壓在0-5KeV范圍內(nèi)可調切實把製度。配有低電壓的浮動電位,可用于超薄      薄膜的深度分析。*設計的槍體彎曲結構可自動屏蔽中性的氬原子最深厚的底氣。

 2協同控製、有機物深度剖析：可選配10kV或者20kV的C60離子槍,也可選用20kV的GCIB（氣體團簇離子槍）用于     有機物的深度剖析。GCIB的特點是可以選擇特定質量的團簇離子源,并且能過濾中性的粒子品質。

PHI公司的VersaProbe III不但在微區(qū)XPS分析方面將靈敏度提高了3倍,而且通過變角分析模式和低能氬離子濺射使XPS的深度分辨率達到極限利用好。如下圖所示,在傳統(tǒng)的分析中,其中光電子被收集的角度范圍為+/-20°,使得它難以分析外層表面。在新的變角分析模式下解決問題，+/- 5°窄角收集范圍可允許探測外層淺表面的成分信息系列。與此同時，全新引進的Ar-GCIB可以將離子束能量降低到1keV用于深度剖析相互配合。

團簇離子槍低能量濺射用于高分辨率的深度分析,如下圖所示,樣品為氧化劑,該譜圖表明C和O均存在與C₇₃H₁₀₇O₁₂和C₃₃H₄₆N₃O₅中,但是N僅存在于C₇₃H₁₀₇O₁₂中,在譜圖中慢體驗，N元素的分布明顯是不均勻的,這得益于團簇離子槍的高深度分辨率。

• SmartSoft-VersaProbe 軟件
• 簡單易學的流程操作界面,對任何操作者來說都易于使用,讓操作效率更高智能化。
  1. 直觀的用戶界面科技實力。
  2. 流程設計引導您完成整個分析過程。
  3. 集成樣品托移動功能建設。
  4. 在保存的圖像上定義分析區(qū)域在此基礎上。
  5. 直觀的分析任務列表。
  6. 單圖上實現(xiàn)多點分析和深度剖析功能前來體驗。
  7. 集成所有選配件的操控自主研發。

• MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件
• 數(shù)據(jù)處理軟件集成AES和XPS數(shù)據(jù)庫：
• 軟件擁有較全面的能譜數(shù)據(jù)庫。采譜分析更加廣闊、線掃描分析損耗、成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來處理。它強大的功能包括峰的定位非常完善，化學態(tài)信息的提取性能穩定，定量測試，檢測限的增強等緊密協作。MultiPak能在設備自帶的電腦上直接實時的處理數(shù)據(jù)生成報告越來越重要，也能安裝在其他電腦上,處理數(shù)據(jù)生成報告。
• 1. 自動譜峰識別發揮重要作用。
  2. XPS化學態(tài)數(shù)據(jù)庫近年來。
  3. XPS譜圖去卷積。
  4. 定量分析發展目標奮鬥。
  5. 非線性小二乘法擬合技術先進。
  6. 線性小二乘法擬合。
  7. 目標因子分析法延伸。
  8. 化學成像分析認為。
  9. 批量數(shù)據(jù)處理。

• VP-III 多功能的技術集成平臺：根據(jù)研發(fā)的需要,以下是 VP-III 的可選擇的配置新趨勢。

1. 掃描X射線源（標配）反應能力；

2.進樣室（可選配相機）；

3.離子槍（標配）學習；

4. 能量分析器（標配）結構重塑；

5.CCD相機（標配）；

   6a. 標準五軸樣品臺（可選配帶加熱冷卻功能的五軸樣品臺）應用優勢；

   6b. 液氮罐（與6a選配配合使用）

    7. 樣品預處理室（選配）高質量發展；

    8. C₆₀離子槍（選配）；

    9.紫外光源UPS（選配）高效節能；

    10.雙陽極影響力範圍，非單色X射線源（選配）、LEIPS 低能反光電子能譜（選配）新創新即將到來；

    11.AES電子槍（選配）邁出了重要的一步；

    12.20kV團簇離子槍（選配）。

• 應用領域：包括表面的元素與化學態(tài)分析（氫和氦除外）
• 固體材料或產(chǎn)品表面的元素成分和化學態(tài)的定性和定量表征,包括有機和無機材料,導體設施、半導體和絕緣體需求。
• 解析薄膜中的組成元素和化學態(tài)以及分布情況,包括半導體、薄膜結構規模設備、磁介質薄膜真諦所在、光學鍍膜、裝飾涂料和耐磨涂層等競爭力。
• 容易受到電子束破壞的樣品成分分析充分。
• 能源環(huán)境、生物醫(yī)藥集聚、聚合物（涂料競爭力、油脂、膠水狀況、染料敢於挑戰、橡膠、塑料等）建立和完善、無機半導體和有機半導體如OLED, OPV等催化材料提供了遵循、硅酸鹽陶瓷參與水平、金屬合金、氧化物等材料分析服務效率。