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簡介：兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)優化服務策略，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料表現明顯更佳。

簡介：碲化鉍晶體Bi2Te3（Bismuthluride）晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓撲絕緣體的晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.438nm,c=3.050nm,α=β=90#1...

簡介：二碲化鉿晶體HfTe2（Hafniumluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.395nm,c=0.666nm,α=β=90#176;,γ=120#1...

簡介：二碲化鉬晶體1T-MoTe2（MolybdenumDiluride）晶體尺寸：~10毫米電學(xué)特性：金屬晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系晶胞參數(shù)：a=0.621nm,b=0.347nm,c=1.383nm,α=γ...

簡介：二碲化鈮晶體NbTe2（NiobiumSelenide）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：金屬意料之外，半導(dǎo)體（TC~0.7k）晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶系，C晶胞參數(shù)：a＝1.470nm增多，b＝0.364，c＝0.935...

簡介：二碲化鈦晶體TiTe2（TitaniumDiluride）晶體尺寸：~8毫米電學(xué)性能：半金屬晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.377nm,c=0.649nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡介：二碲化鎢晶體WTe2（TungstenDiluride）晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半金屬增幅最大，typeIIWeylsemimetal（WSM）晶體結(jié)構(gòu)：斜方晶系P晶胞參數(shù)：a=0.348nm,b=0...

簡介：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體共享應用，拓撲絕緣體生產能力，熱電材料晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶結(jié)構(gòu)晶胞參數(shù)：a=1.430nm，B=0.403nm示範推廣，C=0.986nm堅持好，α=γ=90#176;，β=95.40晶體類型：合...

簡介：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：金屬大幅增加，電荷密度波（CDW）（TCDW~170K）晶體結(jié)構(gòu)：單斜晶晶胞參數(shù)：a=1.479nm特性，B=0.364nm，C=0.934nm等特點，α=γ=90#176;建言直達，β=110...

簡介：晶體尺寸：10毫米電學(xué)性能：半導(dǎo)體，拓撲絕緣體將進一步，熱電性晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶胞參數(shù)：a=b=0.425nm充分發揮，C=3.048nm，α=β=90#176;γ=120晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%...