固體組建、液體、粉末特點、合金和薄膜的元素分析:

濺射靶材組成.

隔離膜：SiO₂深刻變革、BPSG、PSG部署安排、AsSG搖籃、Si?N?、SiOF推廣開來、SiON等推動。

高 k 和鐵電介質(zhì)薄膜：PZT、BST資源配置、SBT開展研究、Ta2O5、HfSiOx

金屬薄膜：Al-Cu-Si、W首要任務、TiW、Co不同需求、TiN發展、TaN、Ta-Al總之、Ir面向、Pt、Ru研學體驗、Au建設項目、Ni等。

電極膜：摻雜多晶硅（摻雜劑：B落實落細、N相結合、O、P製高點項目、As）為產業發展、非晶硅、WSix有所增加、Pt等各項要求。

其他摻雜薄膜（As、P）越來越重要的位置、困惰性氣體（Ne新技術、Ar、Kr等）順滑地配合、C（DLC）

鐵電薄膜深入、FRAM、MRAM大大縮短、GMR要落實好、TMR；PCM更默契了、GST先進技術、GeTe

焊料凸點(diǎn)成分：SnAg、SnAgCuNi

MEMS：ZnO不合理波動、AlN宣講手段、PZT的厚度和成分

SAW器件工藝：AlN、ZnO積極拓展新的領域、ZnS配套設備、SiO 2（壓電薄膜）的厚度和成分；Al、AlCu推進高水平、AlSc脫穎而出、AlTi（電極膜）